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探测器产品及厂家
超高速MCT光浸式红外光伏探测模块 3.0-12.0um
响应波长范围3-12μm;佳波长10.6μm;相对响应强度≥1×10^9 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm;光敏面积 1×1mm^2 (超半浸微透镜)
更新时间:
2025-03-05
MCT-15-4TE 10.6μm碲镉汞MCT中红外光电探测器 带放大 带TEC
mct探测器;响应波长范围 2.0-15μm ;峰值波长 10.6μm;相对响应强度 0.23a/w;光敏面大小 2x2mm ;光学窗口 wznse ar
更新时间:
2025-03-05
NIPM-I-5 碲镉汞MCT平衡/自动平衡 红外检测模块 2.9-5.5μm 1.8MHz
工作波长:3-5um 带宽:>1.8mhz 感光区域 ao (ref and sig), mm×mm :1×1 窗口 (ref and sig):wal2o3 接收角 φ (ref and sig):~36°
更新时间:
2025-03-05
MCT-LabM-I-10.6-1×1 2.0-12.0μm 碲镉汞可编程实验室红外检测模块
响应波长范围2-12μm;佳波长10.6μm;相对响应强度≥6×10^8 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm;光敏面积 1×1mm^2
更新时间:
2025-03-05
MCT-UM-10.6-1×1 带光伏多结探测器HgCdTe通用红外检测模块 2.0-12.0μm
响应波长范围2-12μm;佳波长10.6μm;相对响应强度≥4×10^7 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm;光敏面积1×1mm^2
更新时间:
2025-03-05
MCT-PC-10.6-1X1 1-12μm MCT非冷却光电导探测器 光敏面大小1x1mm
响应波长范围 1-12μm;佳波长 10.6μm;相对响应强度≥9*10^6cm*hz^(1/2)/w@10.6μm;光敏面大小 1x1mm
更新时间:
2025-03-05
MCT-PV-2TE-3-0.1×0.1 中红外MCT两TE冷却光电探测器 2-12μm
响应波长范围 2-12μm;佳波长 3μm;相对响应强度≥7×10^10 cm∙hz^(1/2)/w@3μm;光敏面 0.1×0.1mm^2;抗反射涂层窗口
更新时间:
2025-03-05
PDAM20A6B4G-InGaAS 铟镓砷InGaAs放大型光电探测器 800-1700nm 5MHz
输入电压±9vdc, 100ma 探头silicon pin 感光面直径@2mm 波长800-1700nm (可扩展到2600nm,5mhz) 峰值响应0.9 a/w@1550nm ,9mv/uw@1550nm 饱和光功率660 uw@1550nm (hi-z) 带宽 dc •-5mhz
更新时间:
2025-03-05
APD-350M-A 铟镓砷InGaAs雪崩光电探测器 800~1700nm 350MHz
探测器类型 ingaas;光谱相应 800~1700nm;带宽 350mhz;响应度 9@m=10 a/w;外形尺寸 100*100*25mm
更新时间:
2025-03-05
APD-350M-A 铟镓砷InGaAs雪崩光电探测器 800~1700nm 350MHz
探测器类型 ingaas;光谱相应 800~1700nm;带宽 350mhz;响应度 9@m=10 a/w;外形尺寸 100*100*25mm
更新时间:
2025-03-05
PD-100M-A InGaAs单元探测器 光谱相应800-1700nm 带宽DC-100M
探测器类型 ingaas;光谱相应 800~1700nm;带宽 dc-100m;响应度 0.95@1550nm;外形尺寸 75*55*25mm
更新时间:
2025-03-05
XBD-200M-60K-A 铟镓砷InGaAs蝶形封装低噪声光电平衡探测器 1100-1700nm
波长: 1100~1700nm,带宽:200 mhz,探测器响应度 0.95@1550nm aw
更新时间:
2025-03-05
ABD-100M-A InGaAs增益可调平衡探测器 800-1700nm 带宽DC-100M
探测器类型 ingaas;光谱相应 800~1700nm;带宽 dc-100m;响应度 0.95@1550nm;外形尺寸 80*80*30;接头 fc/apc
更新时间:
2025-03-05
CRM-100M-A 集成InGaAs光电平衡探测器 光纤耦合器800-1700nm
探测器类型 ingaas;光谱相应 800~1700nm;带宽 dc-100m;响应度 0.95@1550nm;外形尺寸 80*80*30mm
更新时间:
2025-03-05
WL-DPD200MA 铟镓砷 InGaAs 直流耦合低噪声光电探测器 200MHz
高跨阻增益: 7500 v/w (1550nm) 带宽:200 mhz 直流耦合 2个显示器输出(未校准) 波长范围:1000nm至1700nm 光纤耦合:光纤通道接收器 输出: 50 ω sma插头 宽范围单电源:11至15 v
更新时间:
2025-03-05
CRM-100M-A * 微弱光相干接收模块 集成光电平衡探测器 1530nm-1565nm
探测器类型 ingaas;光谱相应 1530nm-1565nm;带宽 dc-50m;外形尺寸 120*100*25mm
更新时间:
2025-03-05
GD4516YB 铟镓砷InGaAs高灵敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探测接收模块
工作波长 1550nm;光敏面直径 800um;电压响应度 5 mv/w; 象限间隔 50um;光敏材料 ingaas
更新时间:
2025-03-05
C3A-2700LAE 2mm 扩展型大光敏面InGaAS光电探测器模块 1000-2600nm
光谱响应范围 1000-2600nm;光敏面直径 2mm;响应度 75% @1550nm,100@@2000nm;ingaas铟镓砷探测器模块;工作带宽 50mhz
更新时间:
2025-03-05
BPD-350M-A InGaAs光电平衡探测器 800-1700nm 响应度0.95@1550nm
探测器类型 ingaas;光谱相应 800~1700nm;带宽 dc-350m;响应度 0.95@1550nm;外形尺寸 75*55*25mm
更新时间:
2025-03-05
MP-PD-12D12GHz 模拟带宽高速光电探测器
12ghz 模拟带宽高速光电探测器
更新时间:
2025-03-05
PDINCH300光纤耦合型/插拔式扩展型InGaAs探测器
光纤耦合型/插拔式扩展型ingaas探测器
更新时间:
2025-03-05
MP6514S InGaAs单光子阵列探测器组件 950-1650nm
器件类型 ingaas apd;工作波长 950~1650nm;阵列规模 4x4;像元大小 100μm x 100μm;光敏面大小 85μm x 85μm;石英光窗;探测效率 ≥10% (1.57+0.05μm)
更新时间:
2025-03-05
PDR-100M-A * InGaAs平衡探测器 1510-1590nm 带宽DC-100M
探测器类型 ingaas;光谱相应 1510-1590nm;带宽 dc-100m;响应度 0.95@1550nm;外形尺寸 120*100*25mm
更新时间:
2025-03-05
PLC-B-2000- W2.6- TO5 2mm大光敏面InGaAs铟镓砷光电探测器 450-2700nm
光谱响应范围 450-2700nm,光敏面直径 2mm,响应度 1.0a/w @2.2um,ingaas铟镓砷探测器,封装规格 to-5
更新时间:
2025-03-05
SIQ1600 1064nm四象限Si光电探测器 光敏面直径16mm 直流响应度0.3A/W
光敏面直径 16mm;直流响应度 0.3a/w; 光敏材料 si; 击穿电压 200v
更新时间:
2025-03-05
MP-Si-8-TO8 8mm 大光敏面硅Si硅光电探测器 响应波段400-1100nm
8mm光敏面直径,响应波段:400-1100nm,si基材料 响应速度:<25ns,to8封装
更新时间:
2025-03-05
6mm 大光敏面硅Si光电探测器 响应波段400-1100nm
6mm光敏面,响应波段:400-1100nm,si基材料 响应速度:<2ns,to8封装
更新时间:
2025-03-05
MP-Si-4-TO8 法兰式Si光电探测器 光敏面积4mm 响应波段400-1100nm
4mm光敏面,法兰式结构,响应波段:400-1100nm,si基材料 响应速度:<2ns,to8封装
更新时间:
2025-03-05
MP-Si-02-ADP 法兰式SI光电探测器 光敏面积200um 响应波段400-1100nm
200um光敏面直径,法兰式结构,响应波段:400-1100nm,si基材料 响应速度:<2ns
更新时间:
2025-03-05
MP-Si-02-FC-SA 光纤耦合式Si光电探测器 光敏面直径200um 响应速度<2ns
200um光敏面直径,单模光纤耦合,响应波段:400-1100nm,si基材料 响应速度:<2ns,fc/apc接头
更新时间:
2025-03-05
MP-Si-2-TO5 2mm SI光电探测器 响应波段400-1100nm 响应速度<8ns
2mm直径光敏面,响应波段:400-1100nm,si基材料 响应速度:<8ns,to5封装
更新时间:
2025-03-05
PDAM36A5B6G-SI 硅Si放大型光电探测器 320-1100nm DC-200kHz
输入电压±9vdc, 100ma 探头silicon pin 感光面3.6mm * 3.6mm 波长320-1100nm 峰值响应0.6 a/w @960nm,1 mv/nw @960nm 饱和光功率6uw @960nm(hi-z) 带宽dc - 200khz
更新时间:
2025-03-05
BPD-Si-100M-B 硅Si光电平衡探测器 400-1100nm 100MHz 响应度0.55@850nm
工作波长400~1100nm 带宽100mhz 探测器型号: si硅 探测器响应度 0.55@850nm
更新时间:
2025-03-05
T2SL-PCAS-2TE-9-0.1X0.1 II型超晶格两热电冷却红外光导探测器 1.6-11um TO8
响应波长范围 1.6-11μm;峰值波长 6.2±0.3μm;探测率~2.8×10^8cm·hz^(1/2)/w@6.2μm;光敏面积 0.1x0.1mm
更新时间:
2025-03-05
P10090-01 砷化铟InAs光伏探测器 峰值波长3.35μm 光灵敏度1.0A/W
峰值波长λp:3.35μm 截止波长λc:3.65μm 光灵敏度:1.0a/w 峰值探测率d*:4.5 × 109(cm·hz1/2/w) nep:1.5 × 10-11(w/hz1/2) to-5封装
更新时间:
2025-03-05
PVIA-2TE-3-1×1-TO8-wAl2O3-36 2-5.5μm 红外两TE冷却InAs光浸式光伏探测器
响应波长范围 2-5.5μm;峰值波长 2.9μm;相对响应强度 ≥5×10^11 cm∙hz^(1/2)/w@2.9μm;光敏面积 1×1mm^2
更新时间:
2025-03-05
PVA-3-0.1×0.1-TO39-NW-90 InAs/InAsSb 光伏探测器 响应波长2.15-3.5μm 峰值波长2.95μm
响应波长范围 2.15-3.5μm;峰值波长 2.95μm;相对响应强度≥5×10^9 cm∙hz^(1/2)/w@2.95μm;光敏面积 0.1×0.1mm^2
更新时间:
2025-03-05
GE-10X10-0.95 Ge锗光电二管探测器 800-1800nm 响应度0.95A/W
响应波长范围 800-1800nm;响应度 0.95 a/w;有效面积 10 mm x 10 mm;材料 ge
更新时间:
2025-03-05
ET-3010 铟镓砷 InGaAs 光电探测器 带宽>2GHz 有效面积直径100um
材料:ingaas 上升/下降时间:<175ps/<175ps; 响应度:0.9a/w@1300nm; 带宽:>2ghz; 有效面积直径:100um; 输出连接:bnc
更新时间:
2025-03-05
ET-5000F 铟镓砷InGaAs高速光电探测器 >10GHz 输出连接SMA
材料:ingaas 上升/下降时间:<28ps/<28ps; 响应度:0.9a/w@2000nm; 带宽:>10ghz; 有效面积直径:40um; 输出连接:sma 光纤连接,fc/upc
更新时间:
2025-03-05
ET-3600F EOT铟镓砷InGaAs高速光电探测器 >22GHz FC/UPC SMF28e
材料:ingaas 上升/下降时间:<16ps/<16ps; 响应度:0.7a/w@1300nm; 带宽:>22ghz; 有效面积直径:20um; 输出连接:sma 光纤连接 fc/upc、smf28e
更新时间:
2025-03-05
ET-3600F 铟镓砷InGaAs高速光电探测器 >22GHz 输出连接SMA
材料:ingaas 上升/下降时间:<16ps/<16ps; 响应度:0.7a/w@1300nm; 带宽:>22ghz; 有效面积直径:20um; 输出连接:sma 光纤连接 不适用
更新时间:
2025-03-05
ET-3500F 铟镓砷InGaAs高速光电探测器 >15GHz FC/UPC SMF28e
材料:ingaas 上升/下降时间:<25ps/<25ps; 响应度:0.65a/w@1300nm; 带宽:>15ghz; 有效面积直径:32um; 输出连接:sma 光纤连接 fc/upc,smf28e
更新时间:
2025-03-05
P16309-01 中红外量子联超快光电探测器 20GHz 4.65μm
响应超过20ghz的超快中红外光电探测器 频率响应范围 (-3 db): 直流到 20 ghz 敏感波长峰值: 4.65 μm 光敏性: 1 ma/w (典型值) 无需冷却,无需偏置操作
更新时间:
2025-03-05
MP4542-2M 四象限捕获光电探测接收模块 1000-1650nm 功率-30dBm
工作波长范围 1000-1650nm;电压响应度 2 mv/w;-3db带宽 2mhz;饱和输入光功率 -30dbm
更新时间:
2025-03-05
XF815-900FT探测定位器 探测器 摩尔远距离探测仪
探测原理: 人体静电、马可尼晶体共振、mri、库仑原理。
更新时间:
2025-03-05
DT307-CVT检验用谐振升压装置 电容式电压互感器
随着(电容式电压互感器)技术的不断成熟, cvt得到不断的推广。采用传统的方式对cvt进行校验,由于by cvt的主电容量比较大,一般为0.005~0.02霧,因此,对试验电源的容量要求就很高
更新时间:
2025-03-05
197897 SLT-16-50-A-CC-B上海祥树优势供应!FESTO 滑块驱动器 #仪器资讯
上海祥树欧茂机电设备有限公司是中国工业控制自动化领域著/名的服务贸易商,专/业从事各种国外中高端的工控自动化产品的进口贸易与工程服务。公司主要经营来自欧洲、美国、日本等guo知名品牌的高精密编码器、传感器、仪器仪表及各类自动化产品,并被广泛用于钢铁、冶金、能源、石化、矿山、港口、轨道交通等众多行业的guo家重点企业。
更新时间:
2025-03-05
AGF-PV-30-S2FA24760/4150099BUHLER废气分析过滤器#上海祥树优质商品
上海祥树欧茂机电设备有限公司是中国工业控制自动化域的服务贸易商,业从事各种国外中高端的工控自动化产品的进口贸易与工程服务。公司主要经营来自欧洲、美国、日本等国知名品牌的高精密编码器、传感器、仪器仪表及各类自动化产品,并被广泛用于钢铁、冶金、能源、石化、矿山、港口、轨道交通等众多行业的国家重点企业。
更新时间:
2025-03-05
THz Golay cell太赫兹探测器高莱探测器
thz golay cell太赫兹探测器高莱探测器俄罗斯tydex公司由俄罗斯科学院约费物理技术研究所的科学家组建。tydex公司业订制生产的thz探测器和光学元件. golay cell是有效的探测器之一。该产品在室温下具有优异的灵敏度,
更新时间:
2025-03-05
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