探测器产品及厂家

 非冷却 光学浸没 光电磁MCT红外光伏探测器 2.0-12.0um
响应波长范围 2-12μm; 佳波长 10.6μm; 相对响应强度≥1×10^8cm×hz^(1/2)/w@10.6μm; 光敏面大小 2mm×2mm
更新时间:2025-03-05
 超高速MCT光浸式红外光伏探测模块 3.0-12.0um
响应波长范围3-12μm;佳波长10.6μm;相对响应强度≥1×10^9 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm;光敏面积 1×1mm^2 (超半浸微透镜)
更新时间:2025-03-05
 10.6μm碲镉汞MCT中红外光电探测器 带放大 带TEC
mct探测器;响应波长范围 2.0-15μm ;峰值波长 10.6μm;相对响应强度 0.23a/w;光敏面大小 2x2mm ;光学窗口 wznse ar
更新时间:2025-03-05
 碲镉汞MCT平衡/自动平衡 红外检测模块 2.9-5.5μm 1.8MHz
工作波长:3-5um 带宽:>1.8mhz 感光区域 ao (ref and sig), mm×mm :1×1 窗口 (ref and sig):wal2o3 接收角 φ (ref and sig):~36°
更新时间:2025-03-05
 2.0-12.0μm 碲镉汞可编程实验室红外检测模块
响应波长范围2-12μm;佳波长10.6μm;相对响应强度≥6×10^8 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm;光敏面积 1×1mm^2
更新时间:2025-03-05
 带光伏多结探测器HgCdTe通用红外检测模块 2.0-12.0μm
响应波长范围2-12μm;佳波长10.6μm;相对响应强度≥4×10^7 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm;光敏面积1×1mm^2
更新时间:2025-03-05
 1-12μm MCT非冷却光电导探测器 光敏面大小1x1mm
响应波长范围 1-12μm;佳波长 10.6μm;相对响应强度≥9*10^6cm*hz^(1/2)/w@10.6μm;光敏面大小 1x1mm
更新时间:2025-03-05
 中红外MCT两TE冷却光电探测器 2-12μm
响应波长范围 2-12μm;佳波长 3μm;相对响应强度≥7×10^10 cm∙hz^(1/2)/w@3μm;光敏面 0.1×0.1mm^2;抗反射涂层窗口
更新时间:2025-03-05
 铟镓砷InGaAs放大型光电探测器 800-1700nm 5MHz
输入电压±9vdc, 100ma 探头silicon pin 感光面直径@2mm 波长800-1700nm (可扩展到2600nm,5mhz) 峰值响应0.9 a/w@1550nm ,9mv/uw@1550nm 饱和光功率660 uw@1550nm (hi-z) 带宽 dc •-5mhz
更新时间:2025-03-05
 铟镓砷InGaAs雪崩光电探测器 800~1700nm 350MHz
探测器类型 ingaas;光谱相应 800~1700nm;带宽 350mhz;响应度 9@m=10 a/w;外形尺寸 100*100*25mm
更新时间:2025-03-05
 铟镓砷InGaAs雪崩光电探测器 800~1700nm 350MHz
探测器类型 ingaas;光谱相应 800~1700nm;带宽 350mhz;响应度 9@m=10 a/w;外形尺寸 100*100*25mm
更新时间:2025-03-05
 InGaAs单元探测器 光谱相应800-1700nm 带宽DC-100M
探测器类型 ingaas;光谱相应 800~1700nm;带宽 dc-100m;响应度 0.95@1550nm;外形尺寸 75*55*25mm
更新时间:2025-03-05
 铟镓砷InGaAs蝶形封装低噪声光电平衡探测器 1100-1700nm
波长: 1100~1700nm,带宽:200 mhz,探测器响应度 0.95@1550nm aw
更新时间:2025-03-05
 InGaAs增益可调平衡探测器 800-1700nm 带宽DC-100M
探测器类型 ingaas;光谱相应 800~1700nm;带宽 dc-100m;响应度 0.95@1550nm;外形尺寸 80*80*30;接头 fc/apc
更新时间:2025-03-05
 集成InGaAs光电平衡探测器 光纤耦合器800-1700nm
探测器类型 ingaas;光谱相应 800~1700nm;带宽 dc-100m;响应度 0.95@1550nm;外形尺寸 80*80*30mm
更新时间:2025-03-05
 铟镓砷 InGaAs 直流耦合低噪声光电探测器 200MHz
高跨阻增益: 7500 v/w (1550nm) 带宽:200 mhz 直流耦合 2个显示器输出(未校准) 波长范围:1000nm至1700nm 光纤耦合:光纤通道接收器 输出: 50 ω sma插头 宽范围单电源:11至15 v
更新时间:2025-03-05
 微弱光相干接收模块 集成光电平衡探测器 1530nm-1565nm
探测器类型 ingaas;光谱相应 1530nm-1565nm;带宽 dc-50m;外形尺寸 120*100*25mm
更新时间:2025-03-05
 铟镓砷InGaAs高灵敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探测接收模块
工作波长 1550nm;光敏面直径 800um;电压响应度 5 mv/w; 象限间隔 50um;光敏材料 ingaas
更新时间:2025-03-05
 2mm 扩展型大光敏面InGaAS光电探测器模块 1000-2600nm
光谱响应范围 1000-2600nm;光敏面直径 2mm;响应度 75% @1550nm,100@@2000nm;ingaas铟镓砷探测器模块;工作带宽 50mhz
更新时间:2025-03-05
 InGaAs光电平衡探测器 800-1700nm 响应度0.95@1550nm
探测器类型 ingaas;光谱相应 800~1700nm;带宽 dc-350m;响应度 0.95@1550nm;外形尺寸 75*55*25mm
更新时间:2025-03-05
12GHz 模拟带宽高速光电探测器
12ghz 模拟带宽高速光电探测器
更新时间:2025-03-05
光纤耦合型/插拔式扩展型InGaAs探测器
光纤耦合型/插拔式扩展型ingaas探测器
更新时间:2025-03-05
 InGaAs单光子阵列探测器组件 950-1650nm
器件类型 ingaas apd;工作波长 950~1650nm;阵列规模 4x4;像元大小 100μm x 100μm;光敏面大小 85μm x 85μm;石英光窗;探测效率 ≥10% (1.57+0.05μm)
更新时间:2025-03-05
 InGaAs平衡探测器 1510-1590nm 带宽DC-100M
探测器类型 ingaas;光谱相应 1510-1590nm;带宽 dc-100m;响应度 0.95@1550nm;外形尺寸 120*100*25mm
更新时间:2025-03-05
 2mm大光敏面InGaAs铟镓砷光电探测器 450-2700nm
光谱响应范围 450-2700nm,光敏面直径 2mm,响应度 1.0a/w @2.2um,ingaas铟镓砷探测器,封装规格 to-5
更新时间:2025-03-05
 1064nm四象限Si光电探测器 光敏面直径16mm 直流响应度0.3A/W
光敏面直径 16mm;直流响应度 0.3a/w; 光敏材料 si; 击穿电压 200v
更新时间:2025-03-05
 8mm 大光敏面硅Si硅光电探测器 响应波段400-1100nm
8mm光敏面直径,响应波段:400-1100nm,si基材料 响应速度:<25ns,to8封装
更新时间:2025-03-05
 6mm 大光敏面硅Si光电探测器 响应波段400-1100nm
6mm光敏面,响应波段:400-1100nm,si基材料 响应速度:<2ns,to8封装
更新时间:2025-03-05
 法兰式Si光电探测器 光敏面积4mm 响应波段400-1100nm
4mm光敏面,法兰式结构,响应波段:400-1100nm,si基材料 响应速度:<2ns,to8封装
更新时间:2025-03-05
 法兰式SI光电探测器 光敏面积200um 响应波段400-1100nm
200um光敏面直径,法兰式结构,响应波段:400-1100nm,si基材料 响应速度:<2ns
更新时间:2025-03-05
 光纤耦合式Si光电探测器 光敏面直径200um 响应速度<2ns
200um光敏面直径,单模光纤耦合,响应波段:400-1100nm,si基材料 响应速度:<2ns,fc/apc接头
更新时间:2025-03-05
 2mm SI光电探测器 响应波段400-1100nm 响应速度<8ns
2mm直径光敏面,响应波段:400-1100nm,si基材料 响应速度:<8ns,to5封装
更新时间:2025-03-05
 硅Si放大型光电探测器 320-1100nm DC-200kHz
输入电压±9vdc, 100ma 探头silicon pin 感光面3.6mm * 3.6mm 波长320-1100nm 峰值响应0.6 a/w @960nm,1 mv/nw @960nm 饱和光功率6uw @960nm(hi-z) 带宽dc - 200khz
更新时间:2025-03-05
 硅Si光电平衡探测器 400-1100nm 100MHz 响应度0.55@850nm
工作波长400~1100nm 带宽100mhz 探测器型号: si硅 探测器响应度 0.55@850nm
更新时间:2025-03-05
 II型超晶格两热电冷却红外光导探测器 1.6-11um TO8
响应波长范围 1.6-11μm;峰值波长 6.2±0.3μm;探测率~2.8×10^8cm·hz^(1/2)/w@6.2μm;光敏面积 0.1x0.1mm
更新时间:2025-03-05
 砷化铟InAs光伏探测器 峰值波长3.35μm 光灵敏度1.0A/W
峰值波长λp:3.35μm 截止波长λc:3.65μm 光灵敏度:1.0a/w 峰值探测率d*:4.5 × 109(cm·hz1/2/w) nep:1.5 × 10-11(w/hz1/2) to-5封装
更新时间:2025-03-05
 2-5.5μm 红外两TE冷却InAs光浸式光伏探测器
响应波长范围 2-5.5μm;峰值波长 2.9μm;相对响应强度 ≥5×10^11 cm∙hz^(1/2)/w@2.9μm;光敏面积 1×1mm^2
更新时间:2025-03-05
 InAs/InAsSb 光伏探测器 响应波长2.15-3.5μm 峰值波长2.95μm
响应波长范围 2.15-3.5μm;峰值波长 2.95μm;相对响应强度≥5×10^9 cm∙hz^(1/2)/w@2.95μm;光敏面积 0.1×0.1mm^2
更新时间:2025-03-05
 Ge锗光电二管探测器 800-1800nm 响应度0.95A/W
响应波长范围 800-1800nm;响应度 0.95 a/w;有效面积 10 mm x 10 mm;材料 ge
更新时间:2025-03-05
 铟镓砷 InGaAs 光电探测器 带宽>2GHz 有效面积直径100um
材料:ingaas 上升/下降时间:<175ps/<175ps; 响应度:0.9a/w@1300nm; 带宽:>2ghz; 有效面积直径:100um; 输出连接:bnc
更新时间:2025-03-05
 铟镓砷InGaAs高速光电探测器 >10GHz 输出连接SMA
材料:ingaas 上升/下降时间:<28ps/<28ps; 响应度:0.9a/w@2000nm; 带宽:>10ghz; 有效面积直径:40um; 输出连接:sma 光纤连接,fc/upc
更新时间:2025-03-05
 EOT铟镓砷InGaAs高速光电探测器 >22GHz FC/UPC SMF28e
材料:ingaas 上升/下降时间:<16ps/<16ps; 响应度:0.7a/w@1300nm; 带宽:>22ghz; 有效面积直径:20um; 输出连接:sma 光纤连接 fc/upc、smf28e
更新时间:2025-03-05
 铟镓砷InGaAs高速光电探测器 >22GHz  输出连接SMA
材料:ingaas 上升/下降时间:<16ps/<16ps; 响应度:0.7a/w@1300nm; 带宽:>22ghz; 有效面积直径:20um; 输出连接:sma 光纤连接 不适用
更新时间:2025-03-05
 铟镓砷InGaAs高速光电探测器 >15GHz FC/UPC SMF28e
材料:ingaas 上升/下降时间:<25ps/<25ps; 响应度:0.65a/w@1300nm; 带宽:>15ghz; 有效面积直径:32um; 输出连接:sma 光纤连接 fc/upc,smf28e
更新时间:2025-03-05
 中红外量子联超快光电探测器 20GHz 4.65μm
响应超过20ghz的超快中红外光电探测器 频率响应范围 (-3 db): 直流到 20 ghz 敏感波长峰值: 4.65 μm 光敏性: 1 ma/w (典型值) 无需冷却,无需偏置操作
更新时间:2025-03-05
 四象限捕获光电探测接收模块 1000-1650nm 功率-30dBm
工作波长范围 1000-1650nm;电压响应度 2 mv/w;-3db带宽 2mhz;饱和输入光功率 -30dbm
更新时间:2025-03-05
探测定位器 探测器 摩尔远距离探测仪
探测原理: 人体静电、马可尼晶体共振、mri、库仑原理。
更新时间:2025-03-05
检验用谐振升压装置 电容式电压互感器
随着(电容式电压互感器)技术的不断成熟, cvt得到不断的推广。采用传统的方式对cvt进行校验,由于by cvt的主电容量比较大,一般为0.005~0.02霧,因此,对试验电源的容量要求就很高
更新时间:2025-03-05
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上海祥树欧茂机电设备有限公司是中国工业控制自动化领域著/名的服务贸易商,专/业从事各种国外中高端的工控自动化产品的进口贸易与工程服务。公司主要经营来自欧洲、美国、日本等guo知名品牌的高精密编码器、传感器、仪器仪表及各类自动化产品,并被广泛用于钢铁、冶金、能源、石化、矿山、港口、轨道交通等众多行业的guo家重点企业。
更新时间:2025-03-05
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更新时间:2025-03-05

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