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光学平台产品及厂家
AOD-BIPV-BBIPV-B 智能建筑综合设计平台
本实验装置是基于国家大学生创新实验项目和竞赛项目的基础上改进完善提高后定型的。是结合了智能家居、智能楼宇的设计理念,融合光电技术、物联网技术,嵌入式技术等等为一体的综合性设计开发平台,该装置设计理念先进,科技含量高,综合性强,属于多学科交叉的实验仪器,实验设计平台的各个部分,既有与光电、传感器等的原理密切相关的基础实验,又有利用无线组网传感、手机远程
更新时间:
2024-12-25
AOD-LEDSD-B LEDLEDSD-B LED光电特性与色度学测量综合实验平台
:led(light emitting diode),半导体发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光,以其低功耗,高效率,高稳定型等特点在照明、光通信等领域逐步替代传统光源。对led的各项参数的理解与测试方式的掌握是开发应用此类器件的基础。采用新光电器件及现在工业广泛应用的测试方法开发的此套教学实验产品适用于光电专业本科生基础光电实验及高职院校学生实训课程。
更新时间:
2024-12-25
VK-X3000基恩士KEYENCE形状测量激光显微系统
keyence 基恩士 形状测量激光显微系统全新 vk-x3000,纳米 / 微米 / 毫米,一台即可完成测量。292 种分析工具,一台即可了解希望获取的信息。一台即包含了光学显微镜,台阶仪,光学轮廓仪,及电镜功能。
更新时间:
2024-12-24
EVG7200奥地利SmartNIL紫外纳米压印
奥地利smartnil紫外纳米压印:evg7200,leds 制作,led pss纳米压印工艺,led纳米透镜阵列;微流体学;芯片实验室;抗反射层; 纳米压印光栅; 莲花效应;光子带隙;光学及通讯:光晶体,激光器件;生物技术解决方案:医药分析,血液分析,细胞生长。
更新时间:
2024-12-24
EVG610奥地利EVG掩膜光刻机
evg610是一款非常灵活的适用于研发和小批量试产的对准系统,可处理大200mm之内的各种规格的晶片。evg610支持各种标准的光刻工艺,例如:真空、软、硬接触和接近曝光;也支持其他特殊的应用,如键合对准、纳米压印光刻、微接触印刷等。系统中的工具更换非常简便快捷,每次更换都可在一分钟之内完成,而不需要门的工程人员和培训,非常适合大学、研究所的科研实验和小批量生产。
更新时间:
2024-12-24
EVG510奥地利EVG键合机
奥地利evg键合机:evg510,是一款半自动晶圆键合系统,可以处理大200mm的晶圆,非常适合于研发和小批量生产。evg510提供了除上料和下料外的全自动工艺处理过程,并配备了业界公认的优异的加热和压力均匀性系统。evg510模块化的键合腔室设计可用于150mm或200mm晶圆键合,并且其工艺菜单与evg其他更高系列的键合机相匹配,可以方便的实现从实验线到量产线的工艺复制。
更新时间:
2024-12-24
EVG510IS奥地利EVG键合机
evg520is是一款设计用于小批量生产的半自动晶圆键合系统, 大硅片允许尺寸为200mm。集evg新技术及客户反馈基础上设计的evg520is,配备了evg公司的利吸盘设计---这种吸盘可以提供对称的快速加热和冷却功能。evg520is的很多优势特性,如独立的上下盘加热和高压键合工艺、高度的材料和工艺灵活性等,都帮助客户很好的实施键合研究和生产。
更新时间:
2024-12-24
EVG620奥地利EVG单双面光刻机(带有压印功能)
evg620 单面/双面光刻机(带有压印功能),evg620 是一款非常灵活和可靠的光刻设备,可配置为半自动也可以为全自动形式。evg620 既可以用作双面光刻机也可以用作 150mm 硅片的精确对准设备;既可以用作研发设备,也可以用作量产设备。精密的契型补偿
更新时间:
2024-12-24
NE-550Z日本Ulvac干法等离子刻蚀装置
ne-550z是高真空load-lock式干法等离子刻蚀装置,适用于半导体材料、金属材料等的精细刻蚀
更新时间:
2024-12-24
CS-200z日本Ulvac返回式真空溅射装置
返回式真空溅射装置 cs-200z,高真空交直流溅射设备.适用于金属、合金 、陶瓷材料的高品质溅射成膜.
更新时间:
2024-12-24
Pioneer 180-2-PLD美国Neocera 脉冲激光沉积系统
美国neocera 脉冲激光沉积系统pioneer 180-2-pld,一种用途广泛的、用于薄膜沉积以及纳米结构和纳米粒子合成的方法
更新时间:
2024-12-24
Pioneer 180-2-PLD氮化镓支撑片,晶片,硅片
2英寸氮化镓自支撑晶片, 10×10.5mm²氮化镓自支撑晶片, 非性/半性氮化镓自支撑晶片, 4英寸氮化镓厚膜晶片, 2英寸氮化铝厚膜晶片, 2英寸氮化镓厚膜晶片
更新时间:
2024-12-24
AS-ONE法国Annealsys 高温退火炉
法国annealsys 高温退火炉as-one, 多用途快速热处理设备,适用于硅,化合物半导体,太阳能电池& mems.
更新时间:
2024-12-24
OCTOPLUS 400德国MBE-Komponenten 分子束外延系统
日本rion液体光学颗粒度仪ks-19f,宽广的测试范围,可测试 0.03~0.13um 之间的颗粒只需要小小的样品取样量就可以得到高效率高精准的颗粒数据。octoplus 400 是一款通用型mbe系统,非常适合于iii/v族, ii/vi族,及其他复合半导体材料应用。兼容2-4英寸标准晶片。竖直分割式腔体设计,可以装配各种源炉,实现不同材料分子束外延生长。
更新时间:
2024-12-24
RTP-150德国UnitemP真空快速退火炉
德国unitemp真空快速退火炉rtp-150, 单晶圆,150mm,快升温速率可达150k/s
更新时间:
2024-12-24
HERCULES NIL奥地利EVG紫外纳米压印系统
evg的hercules nil 300 mm是一个完全集成的纳米压印系统,是evg的nil产品组合的新成员。 hercules nil基于模块化平台,在单个平台上将清洗模块,抗蚀剂涂层模块和烘烤预处理模块与evg的有smartnil大面积纳米压印(nil)模块结合在一起,用于直径大为300 mm的晶片。
更新时间:
2024-12-24
EVG720奥地利EVG紫外纳米压印系统
evg720紫外纳米压印用于从印章到衬底的紫外图形转移。evg720自动纳米压印系统允许衬底和印章的尺寸从很小的芯片到150mm直径的圆片范围。
更新时间:
2024-12-24
OAI 200美国 OAI 光刻机 Model 200 型桌面掩模对准器系统
美国 oai 光刻机 model 200 型桌面掩模对准器系统,完全手工操作,输出光谱范围:hg: g(436海里),h(405海里),i(365nm)和310nm线,hg-xe: 260nm和220nm或led: 365nm, 395nm, 405nm
更新时间:
2024-12-24
Model 212美国OAI紫外光刻机
oai model 212型桌面掩模对准系统, 输出光谱范围:hg: g(436nm),h(405nm),i(365nm)和310nm,hg-xe: 260 nm和220 nm或led:365 nm、395 nm和405 nm
更新时间:
2024-12-24
Model 800E美国OAI掩模对准系统
oai model 800e 型掩模对准系统,各种光谱范围选项:hg灯:g(436nm),h(405nm), i(365nm)和310nm线,hg-xe灯:260nm和220nm
更新时间:
2024-12-24
Model 6000美国OAI紫外光刻机
oai 掩膜光刻机 model 6000型,高吞吐量180 wph,灵活处理基板从2“平方到12”平方
更新时间:
2024-12-24
Model 6020S美国OAI紫外光刻机
oai的面板掩模光刻机 model 6020s, 用于foplp型号6020s -半自动化或自动化,实现500mm x 500mm 晶圆尺寸的fo-plp加工.
更新时间:
2024-12-24
NIE-4000 ,NIR-4000 IBE/RIE离子束刻蚀系统
nie-4000 离子束刻蚀系统,nir-4000 ibe/rie 双刻蚀系统,通过加速的 ar 离子进行物理刻蚀或铣削。对于硅的化合物也可以通过反应离子束刻蚀的方式提高刻蚀速率和深宽比。
更新时间:
2024-12-24
Hysitron TI 980 TriboIndenter纳米压痕仪
hysitron ti 980 纳米压痕仪bruker hysitron ti 980 triboindenter 加速纳米力学研究进入更高阶段,同时具有高的性能、灵活性、可信度、实用性和速度。基于海思创几十年的技术创新,它为纳米力学表征带来了高水平的性能、功能和易用性。ti 980达到了台优异纳米力学测试仪
更新时间:
2024-12-24
Hysitron TI 980 TriboIndenter全自动超声波扫描显微镜
echo pro 全自动超声波扫描显微镜美 sonix 全自动超声波扫描显微镜echo pro , 批量 tray盘和框架直接扫瞄, 编程自动判别缺陷, 高产量,无需人员重复设置, 自动烘干.
更新时间:
2024-12-24
ELS-F125日本Elionix微细加式电子束曝光电子束直写机
日本elionix 微细加式电子束曝光电子束直写机els-f125,是elionix推出的上台加速电压达125kv的电子束曝光系统,其可加工线宽下限为5nm的精细图形。
更新时间:
2024-12-24
ELS-F150日本Elionix 超高精密电子束光刻系统
日本elionix 超高精密电子束光刻系统 els-f150, 是上第 个150千伏电子束光刻系统。支持单位纳米用于高研究的设备制造。
更新时间:
2024-12-24
ELS-BODEN日本Elionix电子束光刻机
els-boden 新型电子束光刻系统,高速扫描400mhz频率生产
更新时间:
2024-12-24
μMLA海德堡桌面无掩模光刻机
日本电子 jsm-7610fplus,用于纳米科学的肖特基场发射扫描电子显微镜, 是款采用半浸没式物镜、拥有超高分辨率的场发射扫描电子显heidelberg 海德堡 μmla桌面无掩模光刻机
更新时间:
2024-12-24
DWL 66+德国海德堡 激光直写光刻机
dwl 66+激光光刻系统是具经济效益的高分辨率图像产生器, 具有多种直写模块,实现不同精度直写需求, 能于结构上进行灰度曝光
更新时间:
2024-12-24
MLA150德国海德堡 Heidelberg 激光直写光刻机
德国海德堡 heidelberg 激光直写光刻机 mla150,德国高精密激光直写绘图机,非接触式曝光,可支持高效数位光刻与灰度光刻.
更新时间:
2024-12-24
OCTOPLUS 500德国MBE-Komponenten 分子束外延系统
octoplus 500 mbe系统是为了在6英寸衬底上生长高质量的iii/v族或者ii-vi族异质结构材料而研发业分子束外延系统。样品台选用热解石墨加热或者钨、钽加热丝。标准的octoplus 500有11个呈放射状分布的源孔,可以根据需要增选3个源孔。
更新时间:
2024-12-24
EM TXP德国Leica 全新精研一体机
德国leica em txp全新精研一体机,是一款独特的可对目标区域进行精确定位的表面处理工具,特别适合于sem,tem及lm观察之对样品进行切割、抛光等系列处理。它尤其适合于制备高难度样品,如需要对目标精细定位或需对肉眼难以观察的微小目标进行定点处理。
更新时间:
2024-12-24
URE-2000/35L紫外单面光刻机
ure-2000/35l 型紫外单面光刻机,曝光面积:100mm×100mm;分辨力:1.0 μm(胶厚 2.0 μm 的正胶,365nm 波长)
更新时间:
2024-12-24
URE-2000/17型紫外单面光刻机(台式)
ure-2000/17 型紫外单面光刻机(台式),曝光面积:4 英寸,分辨力:1.5μm(胶厚 2 m 的正胶),对准精度:±1μm
更新时间:
2024-12-24
URE-2000/25型紫外单面光刻机
ure-2000/25 型紫外单面光刻机,曝光面积:4 英寸,分辨力:1 μm(胶厚 2 μm的正胶),对准精度:± 0.8μm
更新时间:
2024-12-24
URE-2000S/25A紫外双面光刻机型紫外单面光刻机
ure-2000s/25a 型紫外双面光刻机,曝光面积:6 英寸,分辨力:1 μm
更新时间:
2024-12-24
URE-2000S/25 型紫外双面光刻机
ure-2000s/25 型紫外双面光刻机,曝光面积:4 英寸,正面对准采用双目双视场对准显微镜:既可通过目镜目视对准,也可通过 ccd+显示器对准,光学合像,光学大倍数 400 倍,光学+电子放大 800 倍
更新时间:
2024-12-24
URE-2000S/B型紫外双面光刻机
ure-2000s/b 型紫外双面光刻机,曝光面积:6 英寸,对准精度:± 2μm (双面,片厚 0.8mm),± 0.8μm (单面)
更新时间:
2024-12-24
URE-2000S/A8 型紫外双面光刻机
ure-2000s/a8 型紫外双面光刻机, 曝光面积:8 英寸, 曝光波长:365nm: 15mw/cm,405nm:15-30mw/cm2, 对准精度:±2 μm (双面,片厚 0.8mm)±0.8 μm (单面)
更新时间:
2024-12-24
URE-2000S/25S 型双面光刻机
ure-2000s/25s 型双面光刻机,曝光面积:4 英寸(或 6 英寸),正面对准采用双目双视场对准显微镜:既可通过目镜目视对准,也可通过 ccd+显示器对准,光学合像,光学大倍数 400 倍,光学+电子放大 800 倍
更新时间:
2024-12-24
URE-2000S/35L(A)型紫外双面光刻机
ure-2000s/35l(a)型紫外双面光刻机,曝光面积:6 英寸,正面对准采用双目双视场对准显微镜:既可通过目镜目视对准,也可通过 ccd+显示器对准,光学合像,光学大倍数 400 倍,光学+电子放大 800 倍
更新时间:
2024-12-24
URE-2000S/35L(B)型双面光刻机
ure-2000s/35l(b)型双面光刻机, 曝光面积:4 英寸, 正面对准采用双目双视场对准显微镜:既可通过目镜目视对准,也可通过 ccd+显示器对准,光学合像,光学 大倍数 400 倍,光学+电子放大 800 倍
更新时间:
2024-12-24
URE-2000/30 型紫外单面光刻机
ure-2000/30 型紫外单面光刻机,高倍率双目双视场显微镜和 22 英寸宽屏液晶显示同时观察对准过程,并提供 usb 输出;既满足高精度对准,又可用于检测曝光结果,且曝光结果和方便存储
更新时间:
2024-12-24
URE-2000/35AL 型紫外单面光刻机
ure-2000/35al 型紫外单面光刻机,曝光面积:150mm×150mm;分辨力:1.0μm(365nm 波长),对准精度:≤±0.8μm
更新时间:
2024-12-24
KZ-30UK理音RION 采样器统
理音rion kz-30uk采样器,易于操作的室内化学采样器,当腔体压力过高的时候, 可以排净空气,防止发生故障 ,设计简单的化学防爆采样器,kz-30uk的设计是可以为 离线测试的液体粒子计数器提供加压。
更新时间:
2024-12-24
NTE-4000,NTE-3500,NTE-3000,NTE-1000美Nano-master热蒸镀系统
美nano-master热蒸镀系统:nte-4000 独立式电子束蒸镀,nte-3500 紧凑型独立式热蒸镀,nte-3000 双蒸源台式热蒸镀系统,nte-1000 简便型热蒸镀。热蒸镀系统可以跟nano-master那诺-马斯特的其它任意真空系统组成双系统。
更新时间:
2024-12-24
NSC-4000,NSC-3500,NSC-3000,NSC-1000美Nano-master磁控溅射系统
美nano-master磁控溅射系统:nsc-4000独立式磁控溅射系统,可支持共溅射等能力的扩展nsc-3500紧凑型独立式热蒸镀,可以支持金属材料的dc溅射,介质材料的rf溅射,以及脉冲dc溅射等应用。nsc-3000可支持多4个靶的dc溅射或rf溅射nsc-1000单金靶靶材的台式溅射系统,不但可用于电镜制备,也可以用于常规的金属溅射
更新时间:
2024-12-24
NPE-4000NANO-MASTER的等离子增强化学气相沉积系统PECVD系统
nano-master的等离子增强化学气相沉积系统pecvd系统npe-4000,可以制造高质量的氧化硅、氮化硅、碳纳米管、金刚石和碳化硅等薄膜。基板可以容纳8英寸晶圆,可通过射频、脉冲直流或者直流电源提供偏压,可通过热电阻或者红外灯加热到800°c。ns
更新时间:
2024-12-24
NEE-4000美NANO-MASTER电子束蒸镀系统
nano-master电子束蒸镀系统 nee-4000,可通过样片掩膜实现组合蒸镀,并可通过电脑控制单个电子束蒸镀的蒸镀速率。系统可支持共蒸镀功能。能够升支持自动上下片,以及手动或自动翻转样片实现双面镀膜。该系列的e-beam电子束蒸镀系统,也可以跟磁控溅射
更新时间:
2024-12-24
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