1、可视位置指示:可接限位开关或紧急手动装置。2、容易安装:气动头可旋转360 º。可方便地安装一到二个限位开关。3、先进的气动控制器:加厚工程塑料外壳,安全可靠。低磨损的活塞结构,容量大而低耗气量。内部元件自润滑,免维护。4、具有多种控制方式:常开、常闭、双动。5、要求更小的气动执行器:流体从阀杆上方流入时,可选更小的控制头。6、容易连接:MAMUR标准连接,嵌入式金属接头。7、长寿命导杆:阀杆契形特氟隆(PTEE)密封,避免赃物导入。自润滑,免维护。阀杆经特别处理以确保最佳固定,并能自动校正位置。8、无水锤作用,流体从阀杆下方流入时,水锤(水冲击力)被吸收。9、先进的阀体机构:流量比普通角座大30%,体积更小,流体流态更优。不锈钢316阀体,特氟隆密封,耐高温,耐腐蚀。寿命高达七百万次。
本设备主要用于阀门行业中气阀、水阀等产品的密封性测试及功能性测试;设备由气动控制系统、差压控制系统、计算机控制系统、PLC系统、工装夹具系统等五大系统组成。
阀门气密性检测机是指通过差压测量技术,其原理是把差压传感器A端接入参照工件,B端接入被测量工件,系统根据当前测得压差数据和设定的参数进行自动比对,如果工件不符合设定参数要求,则自动声光报警。系统能自动实行检测阀门内漏和外漏,无需分段检测,根据测得压差是否达到设定值来判断产品是否合格,同时系统自动统计合格与不合格总数,并记录保存每个工位检测后的数据,方便用户日后查询。该检测机目前是同类检测设备中精度、效率、智能化集成一款设备。适用于各种球阀、闸阀、气阀等各种高精度泄漏检测项目。本产品测试方法简单,避免了以前老式直接水测方法所带来的水试之后测试不出来及需要擦试、烘干等带来的不利影响。
广泛运用于角阀,球阀、水龙头、闸阀、卫浴产品等产品密封测试,泄漏测试的产品。
二、标准参数
序号 | 设备项目 | 标准参数 |
1 | 设备名称 | 精密气密性测试设备 |
2 | 设备型号 | RTAL-1-PC-1-8 |
3 | 工装数量 | 8工位 |
4 | 检测产品类型 | 水阀、气阀等 |
5 | 测试压力范围 | 0.1-0.9MPa |
6 | 检测内容 | 按照检测工艺流程设备检测压力可调节,检测球阀体在<0.9MPa条件下对角阀内漏及外漏(阀杆、阀体、平面)的密封性检测。 |
7 | 差压传感器量程 | 0-5 KPa |
8 | 直压传感器量程 | 0-1.0 MPa |
9 | 差压传感器精度 | 0.2 % |
10 | 综合测试精度 | 0.35 % |
11 | 压降显示精度 | 1 Pa |
G1750型高压控制调节阀是气动单元组合仪表的执行机构,是化学工业、石油工业中用来控制高压聚合反应的关键设备,它具有操作方便,性能,防火,防爆的特点,它和调节器等其他仪表相配合,对反应釜的压力进行自动调节和远程控制。 | ||
![]() | 简 介阀体阀体材料 炮钢供气压力 0.04~0.60MPa输入信号 0.02~0.10MPa介质压力 标定175MPa入口175MPa,出口25~30MPa阀行程 4mm分程制作:手动:2mm;自动2mm.介质温度 -20~+225摄氏度接管尺寸 入口GI"(左旋)出口G1.5"阀座直径 3,6.4 8mm标准附件 ZPQ-S69气动阀门定位器,阀位传送器,锁子阀性能线性 正负1%回差 1.0%灵敏度0.5%外形尺寸 1214*850*450mm |
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上海伯东代理美国原装进口 KRi 射频离子源 RFICP 220 高能量栅离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 1000 mA.KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
阳 | 电感耦合等离子体 2kW & 2 MHz 射频自动匹配 |
大阳功率 | >1kW |
大离子束流 | > 1000mA |
电压范围 | 100-1200V |
离子束动能 | 100-1200eV |
气体 | Ar, O2, N2, 其他 |
流量 | 5-50 sccm |
压力 | < 0.5mTorr |
离子光学, 自对准 | OptiBeamTM |
离子束栅 | 22cm Φ |
栅材质 | 钼 |
离子束流形状 | 平行,聚焦,散射 |
中和器 | LFN 2000, MHC 1000 |
高度 | 30 cm |
直径 | 41 cm |
锁紧安装法兰 | 10”CF |
KRI 射频离子源 RFICP 220 基本尺寸KRI 射频离子源 RFICP 220 应用域:预清洗表面改性辅助镀膜 (光学镀膜) IBAD,溅镀和蒸发镀膜 PC离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE射频离子源 RFICP 220 集成于半导体设备, 实现 8寸芯片蚀刻
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 叶小姐 台湾伯东: 王小姐T: +86-21--3511 ext 107 T: +886-3--9508 ext 161F: +86-21-- F: +886-3--0049M: +86 -883- M: +886---958上海伯东版权所有, 翻拷必究!
本产品以配套制药设备、食品和饮料流水线、纺织印染、水处理设备、工艺洗涤溶解设备、专用配套卫生级开关(调节)的阀门。