电子束刻蚀系统产品及厂家
该单元应用于各职业院校、培训机构的电工、电子维修排故训练设备。 人机界面采用液晶显示屏，操作简单明了，具有很好的互交性。 控制芯片采用stc89c52，输出部分采用台湾产继电器，所有元器件均经过严格测试。 电路设计优化合理，生产工艺严格完善，保证机器的可靠性和稳定性。 可设置更多个故障点（扩容后）。 故障编号可以随意更改。 每个故障点都可以设置为开路或短路故障。 设置的参数在断电后不会丢失。 输出
更新时间:2024-12-25
该设备针对性地提炼与新能源汽车直接相关的电工、电子、数电、模电等方面的核心、必备知识要点，并通过从“基本原理”落地到“在新能源汽车上的具体应用”进行系统性、原理性教学，为学生建立理论基础及其在新能源汽车领域的应用方法。设备涵盖了典型的半导体元器件、基本放大电路、多级放大电路、集成运算放大器电路、脉冲波形产生变换电路、功率放大电路、组合逻辑电路、a/d和d/a转换电路、汽车车前灯模块等典型元器件与电
更新时间:2024-12-25
sentech 集成等离子刻蚀和沉积的多腔系统sentech 集成等离子刻蚀和沉积的多腔系统，sentech多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。
更新时间:2024-12-24
德国sentech 集成等离子刻蚀和沉积的多腔系统，包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。
更新时间:2024-12-24
plasmapro 800系列是结构紧凑、且使用方便的直开式系统，该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻（rie）工艺提供了灵活的解决方案。大尺寸的晶圆平台能够处理量产别的批量以及300mm晶圆的工艺。
更新时间:2024-12-24
使用分辨率≤1.2m提供i-line功能适应具有10米聚焦深度的具有挑战性的过程需求大限度地提高生产率，吞吐量超过75 wph用22 mm的场地尺寸增强与nsr步进器的混合和匹配提供出色的覆盖性能支持背面对准0.8米
更新时间:2024-12-10
candela 8720高集成表面和光致发光(pl)缺陷检测系统可捕捉各种关键的衬底和外延缺陷。利用统计过程控制(spc)方法实现自动化晶片检测显著降低了由于外延缺陷造成的产量损失，小化了金属有机化学气相沉积(mocvd)反应器工艺偏差，并增加了mocvd反应器的正常运行时间。
更新时间:2024-12-10
candela 8420是一种表面缺陷检测系统，它使用多通道检测和基于规则的缺陷宁滨来检测不透明、半透明和透明晶圆上的颗粒和划痕，如砷化镓(gaas)、磷化铟(inp)、钽酸锂、铌酸锂、玻璃、蓝宝石和其他化合物半导体材料。8420表面缺陷检测系统采用有的osa(光学表面分析仪)架构，可同时测量散射强度、形貌变化、表面反射率和相移，用于自动检测和分类各种感兴趣的缺陷(doi)。
更新时间:2024-12-10
全球业的沉积设备制造商，为各个域的客户提供完善的薄膜沉积解决方案：电子束蒸发系统、热蒸发系统、超高真空蒸发系统、分子束外延mbe、有机分子束沉积ombd、等离子增强化学气相淀积系统pecvd/icp etcher、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、离子泵等。
更新时间:2024-12-10
全球业的沉积设备制造商，为各个域的客户提供完善的薄膜沉积解决方案：电子束蒸发系统、热蒸发系统、超高真空蒸发系统、分子束外延mbe、有机分子束沉积ombd、等离子增强化学气相淀积系统pecvd/icp etcher、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、离子泵等。
更新时间:2024-12-10
德国总部直接采购heute清洁系统，原装产品，货期好，支持选型，为您提供对好的解决方案：赫尔纳大连公司在中国设有10个办事处，可为您提供好的维修服务。
更新时间:2024-11-06
1、微电脑液晶显示屏，可在线实时监测ro水和up水水质2、采用一柱双芯一体式纯化柱，更换简单，使用寿命长3、监控滤芯更换周期，中文显示滤芯更换信息4、采用原装进口陶氏反渗透膜和陶氏树脂，保证产水水质进水要求
更新时间:2024-10-25
1、微电脑液晶显示屏，可在线实时监测ro水和up水水质2、采用一柱双芯一体式纯化柱，更换简单，使用寿命长3、监控滤芯更换周期，中文显示滤芯更换信息4、采用原装进口陶氏反渗透膜和陶氏树脂，保证产水水质进水要求
更新时间:2024-10-25
r2p/r2r微纳米结构压印，纳米压印光刻机，紫外固化压印机，紫外固化纳米结构压印机 uv固化纳米压印机，紫外固化纳米结构压印机 uv固化纳米压印机
更新时间:2024-09-15
在过去的几年中，半导体器件和ic生产等微电子技术已发展到深亚微米阶段及纳米阶段。为了追求晶片更高的运算速度与更高的效能，三十多年来，半导体产业遵循著摩尔定律（moore’s law）：每十八个月单一晶片上电晶体的数量倍增，持续地朝微小化努力。为继续摩尔定律，在此期间，与微电子域相关的微/
更新时间:2024-09-14
量产用刻蚀设备ne-5700/ne-7800量产用刻蚀设备ne-5700/ne-7800是可以对应单腔及多腔、重视性价比拥有扩展性的刻蚀设备。
更新时间:2024-06-27
nre-4000是一款独立式rie反应离子刻蚀系统，配套有淋浴头气体分布装置以及水冷rf样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12”的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mtorr到8torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带formblin泵油).rf射频功率通过600w,13.56mhz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500v.这对于各向异性的刻蚀至关重要。
更新时间:2024-03-28
nre-3500（m）rie反应离子刻蚀机概述：独立式rie反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷rf样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12"的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mtorr到8torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带formblin泵油).rf射频功率通过600w,13.56mhz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500v.这对于各向异性的刻蚀至关重要。
更新时间:2024-03-28
nre-3500（a）全自动rie反应离子刻蚀机概述：独立式rie反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷rf样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12"的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mtorr到8torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带formblin泵油).rf射频功率通过600w,13.56mhz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500v.这对于各向异性的刻蚀至关重要。
更新时间:2024-03-28
nre-3000rie反应离子刻蚀机概述：独立式rie反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷rf样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12"的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mtorr到8torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带formblin泵油).rf射频功率通过600w,13.56mhz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500v.这对于各向异性的刻蚀至关重要。
更新时间:2024-03-28
npc-4000（m）等离子刻蚀机概述：nano-master 等离子刻蚀和清洗系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用pc控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有独一无二的能力:可以从pe等离子刻蚀切换到rie刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。
更新时间:2024-03-28
npc-4000（a）全自动等离子刻蚀机概述：nano-master 等离子刻蚀和清洗系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用pc控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有独一无二的能力:可以从pe等离子刻蚀切换到rie刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用
更新时间:2024-03-28
npc-3500（m）等离子刻蚀机概述：nano-master 等离子灰化和清洗系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用pc控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有独一无二的能力:可以从pe等离子刻蚀切换到rie刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用
更新时间:2024-03-28
npc-3500（a）全自动等离子刻蚀机概述：nano-master 等离子刻蚀和清洗系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用pc控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有独一无二的能力:可以从pe等离子刻蚀切换到rie刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。
更新时间:2024-03-28
npc-3000等离子刻蚀机概述：nano-master 等离子灰化和清洗系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用pc控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有独一无二的能力:可以从pe等离子刻蚀切换到rie刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。
更新时间:2024-03-28
nano-master的离子束刻蚀系统具有很强的适应性，可根据不同的应用而按不同的配置进行建构。多样的样片夹具和离子源配置可支持用户不同的应用。用于离子束系统（或称离子铣系统）的样片夹具可以支持±90°倾斜、旋转、水冷和背氦冷却。 nano-master技术已经展示了可以把基片文库保持在50°c以内的能力。通过倾斜和旋转，可以刻蚀出带斜坡的槽，并且改善了对侧壁轮廓和径向均匀度的控制。
更新时间:2024-03-28
nie-4000（a）全自动ibe离子束刻蚀产品概述：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在rie系统中完成。然而通过加速的ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。
更新时间:2024-03-28
nie-4000（r）ribe反应离子束刻蚀产品概述：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在rie系统中完成。然而通过加速的ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。
更新时间:2024-03-28
nie-3500（m）ibe离子束刻蚀产品概述：该系统为计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。所有核心组件均为国际知名品牌。
更新时间:2024-03-28
nie-3500（a）全自动ibe离子束刻蚀产品概述：该系统为全自动上下载片，并且通过计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。该系统所配套的所有核心组件均为国际知名品牌。
更新时间:2024-03-28
nie-3000ibe离子束刻蚀产品概述：该系统为手动放片取片，但通过计算机全自动实现工艺控制的台式离子束刻蚀系统，系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。该系统所配套的所有核心组件均为国际知名品牌。
更新时间:2024-03-28
nre-4000（icpa）全自动icp刻蚀系统概述：自动上下载片，是带icp等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，具有高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀能力。可实现范围广泛的刻蚀工艺，包括刻蚀iii-v化合物（如gaas，inp，gan，insb）、ii-vi化合物、介质材料、玻璃、石英、金属，以及硅和硅的化合物（如sio2、si3n4、sic、sige）等。
更新时间:2024-03-28
ndr-4000（a）全自动drie深反应离子刻蚀概述：全自动上下载片，带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统，带8" icp源。系统可以配套500l/s抽速的涡轮分子泵，可以使得工艺压力达到几mtorr的水平。在低温刻蚀的技术下，系统可以达到硅片的高深宽比刻蚀。
更新时间:2024-03-28
ndr-4000（m）drie深反应离子刻蚀概述：是带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统，带8" icp源。系统可以配套500l/s抽速的涡轮分子泵，可以使得工艺压力达到几mtorr的水平。在低温刻蚀的技术下，系统可以达到硅片的高深宽比刻蚀。
更新时间:2024-03-28
nre-4000（icpm）icp刻蚀系统概述：是带icp等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺，包括刻蚀iii-v化合物（如gaas，inp，gan，insb）、ii-vi化合物、介质材料、玻璃、石英、金属，以及硅和硅的化合物（如sio2、si3n4、sic、sige）等。
更新时间:2024-03-28
nre-4000是一款独立式rie反应离子刻蚀系统，配套有淋浴头气体分布装置以及水冷rf样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12”的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mtorr到8torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带formblin泵油).rf射频功率通过600w,13.56mhz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500v.这对于各向异性的刻蚀至关重要。
更新时间:2024-03-28
fei vion plasma 聚焦离子束系统(fib)能使您的实验室实力大增，因为只需这一台使用简便的设备便可获得yi流的光刻和成像性能。采用等离子源技术的 vion pfib 拥有比传统镓 fib
更新时间:2024-03-15
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