探测器所有不同的厂家_第4页

探测器产品及厂家

SFD-CV/08-10+AC-1 24VBAUER三相异步减速电机BG05-31/D05LA/SP

上海祥树欧茂机电设备有限公司是中工业控制自动化域的服务贸易商，业从事各种外中高端的工控自动化产品的进口贸易与工程服务。公司主要经营来自欧洲、美、日本等知名品牌的高精密编码器、传感器、仪器仪表及各类自动化产品，并被广泛用于钢铁、冶金、能源、石化、矿山、港口、轨道交通等众多行业的家重点企业。

更新时间:2025-03-06

该公司产品分类：上海祥树欧茂机电设备有限公司

EOT 12.5GHz 2μm光电探测器

eot的et-5000光电探测器主要包含利用光电效应将光功率转换成电流的pin光电二极管。当终端连接到示波器上时，可以测量激光的脉冲宽度。当终端连接到一个频谱分析仪上，可以测量激光的频率响应。eot的硅光电探测器内置由长寿命的锂电池组成的偏置电源。在实际操作时，需要将同轴电缆插入到光电探测器的bnc输出连接器端，并且终端需要连接到示波器或频谱分析仪上。

更新时间:2025-03-05

该公司产品分类：上海屹持光电技术有限公司

TTI TIA-525I-FC光电探测器

tti（terahertz technologies inc.）生产的tia-525，tia-527，tia-952系列光电探测器bnc接口可以直接连接示波器或者数字接收设备。tia-1200，tia-2000，tia-3000，tia-4000为k型sma母口。光纤耦合和自由空间输入可选，使用转接线或者适配器能适应各种光纤输入。tia-525和tia-527可选择电池和电源适配器供电。

更新时间:2025-03-05

该公司产品分类：上海屹持光电技术有限公司

TTI 光电转换器光电探测器 TIA525

光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。

更新时间:2025-03-05

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EOT 22GHz光电探测器ET-3600

eot 22ghz光电探测器et-3600系列高速光电探测器应用于时域和频率测试， et-3600带宽高达22ghz，且光谱范围覆盖900-1700nm.。上升沿和下降沿时间只有16ps，et-3600提供自由空间输入和fc/upc 输入使得适合于各种激光器的测试。

更新时间:2025-03-05

该公司产品分类：上海屹持光电技术有限公司

超快探测器 UPD 超快光电探测器

alphalas upd系列自由空间入射超快光电探测器系列适合用于从直流到25ghz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号，覆盖从170至2600nm的光谱范围。所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装，供电方式可以采用电池或外接电源。可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。

更新时间:2025-03-05

该公司产品分类：上海屹持光电技术有限公司

JS705-GT30金属探测器 60米双模式

金属探测器是制作的先进的地下金属探测器，该仪器首次采用双模式探测，微频处理器系统工作。可以先大范围定位，然后小范围探测。它具有探测深度大、定位准确、分辨率、操作简易等优点。

更新时间:2025-03-05

该公司产品分类：北京百万电子科技中心

JS705-VR1000b金属探测器深达20米

超深度遥感金属探测仪是世界先进的地面探测仪之一，它采用微处理器控制，利用声波作为工作原理，采用多点查找的方法。准确测出金属物体所在的位置。

更新时间:2025-03-05

该公司产品分类：北京百万电子科技中心

SUB-Fast-1 超快亚太赫兹探测器响应时间1μs 光谱范围50GHz-0.7THz

terasense的超快探测器ultrafast，通过直接观察其脉冲响应函数证实响应时间小于150 ps。用广谱范围为0.1至3thz的，200nj、1ps的激光脉冲激发该探测器，其响应由高速示波器记录。响应功能显示了由示波器4 ghz带宽限制的150 ps的上升和下降时间。测量的短响应时间使得我们的探测器可以直接研究thz科学和电信中的快速瞬态过程。

更新时间:2025-03-05

该公司产品分类：筱晓（上海）光子技术有限公司

MCT-PCQ-10.6-1×1 1-12μm 中红外非冷却光电导型 MCT象限探测器

响应波长范围 1-12μm；佳波长 10.6μm；相对响应强度≥9×10^6 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm；光敏面积 1×1mm^2

更新时间:2025-03-05

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MCT-PEMI-10.6-2×2 非冷却光学浸没光电磁MCT红外光伏探测器 2.0-12.0um

响应波长范围 2-12μm; 佳波长 10.6μm; 相对响应强度≥1×10^8cm×hz^(1/2)/w@10.6μm; 光敏面大小 2mm×2mm

更新时间:2025-03-05

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超高速MCT光浸式红外光伏探测模块 3.0-12.0um

响应波长范围3-12μm；佳波长10.6μm；相对响应强度≥1×10^9 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm；光敏面积 1×1mm^2 （超半浸微透镜）

更新时间:2025-03-05

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MCT-15-4TE 10.6μm碲镉汞MCT中红外光电探测器带放大带TEC

mct探测器；响应波长范围 2.0-15μm ；峰值波长 10.6μm；相对响应强度 0.23a/w；光敏面大小 2x2mm ；光学窗口 wznse ar

更新时间:2025-03-05

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NIPM-I-5 碲镉汞MCT平衡/自动平衡红外检测模块 2.9-5.5μm 1.8MHz

工作波长：3-5um 带宽：＞1.8mhz 感光区域 ao (ref and sig), mm×mm ：1×1 窗口 (ref and sig)：wal2o3 接收角 φ (ref and sig)：~36°

更新时间:2025-03-05

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MCT-LabM-I-10.6-1×1 2.0-12.0μm 碲镉汞可编程实验室红外检测模块

响应波长范围2-12μm；佳波长10.6μm；相对响应强度≥6×10^8 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm；光敏面积 1×1mm^2

更新时间:2025-03-05

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MCT-UM-10.6-1×1 带光伏多结探测器HgCdTe通用红外检测模块 2.0-12.0μm

响应波长范围2-12μm；佳波长10.6μm；相对响应强度≥4×10^7 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm；光敏面积1×1mm^2

更新时间:2025-03-05

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MCT-PC-10.6-1X1 1-12μm MCT非冷却光电导探测器光敏面大小1x1mm

响应波长范围 1-12μm；佳波长 10.6μm；相对响应强度≥9*10^6cm*hz^(1/2)/w@10.6μm；光敏面大小 1x1mm

更新时间:2025-03-05

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MCT-PV-2TE-3-0.1×0.1 中红外MCT两TE冷却光电探测器 2-12μm

响应波长范围 2-12μm；佳波长 3μm；相对响应强度≥7×10^10 cm∙hz^(1/2)/w@3μm；光敏面 0.1×0.1mm^2；抗反射涂层窗口

更新时间:2025-03-05

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PDAM20A6B4G-InGaAS 铟镓砷InGaAs放大型光电探测器 800-1700nm 5MHz

输入电压±9vdc, 100ma 探头silicon pin 感光面直径@2mm 波长800-1700nm (可扩展到2600nm,5mhz) 峰值响应0.9 a/w@1550nm ,9mv/uw@1550nm 饱和光功率660 uw@1550nm (hi-z) 带宽 dc •-5mhz

更新时间:2025-03-05

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APD-350M-A 铟镓砷InGaAs雪崩光电探测器 800~1700nm 350MHz

探测器类型 ingaas；光谱相应 800~1700nm；带宽 350mhz；响应度 9@m=10 a/w；外形尺寸 100*100*25mm

更新时间:2025-03-05

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APD-350M-A 铟镓砷InGaAs雪崩光电探测器 800~1700nm 350MHz

探测器类型 ingaas；光谱相应 800~1700nm；带宽 350mhz；响应度 9@m=10 a/w；外形尺寸 100*100*25mm

更新时间:2025-03-05

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PD-100M-A InGaAs单元探测器光谱相应800-1700nm 带宽DC-100M

探测器类型 ingaas；光谱相应 800~1700nm；带宽 dc-100m；响应度 0.95@1550nm；外形尺寸 75*55*25mm

更新时间:2025-03-05

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XBD-200M-60K-A 铟镓砷InGaAs蝶形封装低噪声光电平衡探测器 1100-1700nm

波长: 1100~1700nm,带宽:200 mhz,探测器响应度 0.95@1550nm aw

更新时间:2025-03-05

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ABD-100M-A InGaAs增益可调平衡探测器 800-1700nm 带宽DC-100M

探测器类型 ingaas；光谱相应 800~1700nm；带宽 dc-100m；响应度 0.95@1550nm；外形尺寸 80*80*30；接头 fc/apc

更新时间:2025-03-05

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CRM-100M-A 集成InGaAs光电平衡探测器光纤耦合器800-1700nm

探测器类型 ingaas；光谱相应 800~1700nm；带宽 dc-100m；响应度 0.95@1550nm；外形尺寸 80*80*30mm

更新时间:2025-03-05

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WL-DPD200MA 铟镓砷 InGaAs 直流耦合低噪声光电探测器 200MHz

高跨阻增益: 7500 v/w (1550nm) 带宽:200 mhz 直流耦合 2个显示器输出(未校准) 波长范围:1000nm至1700nm 光纤耦合:光纤通道接收器输出: 50 ω sma插头宽范围单电源:11至15 v

更新时间:2025-03-05

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CRM-100M-A * 微弱光相干接收模块集成光电平衡探测器 1530nm-1565nm

探测器类型 ingaas；光谱相应 1530nm-1565nm；带宽 dc-50m；外形尺寸 120*100*25mm

更新时间:2025-03-05

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GD4516YB 铟镓砷InGaAs高灵敏度大光敏元 APD芯片四象限雪崩探测接收模块

工作波长 1550nm；光敏面直径 800um；电压响应度 5 mv/w；象限间隔 50um；光敏材料 ingaas

更新时间:2025-03-05

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C3A-2700LAE 2mm 扩展型大光敏面InGaAS光电探测器模块 1000-2600nm

光谱响应范围 1000-2600nm；光敏面直径 2mm；响应度 75% @1550nm,100@@2000nm；ingaas铟镓砷探测器模块；工作带宽 50mhz

更新时间:2025-03-05

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BPD-350M-A InGaAs光电平衡探测器 800-1700nm 响应度0.95@1550nm

探测器类型 ingaas；光谱相应 800~1700nm；带宽 dc-350m；响应度 0.95@1550nm；外形尺寸 75*55*25mm

更新时间:2025-03-05

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MP-PD-12D12GHz 模拟带宽高速光电探测器

12ghz 模拟带宽高速光电探测器

更新时间:2025-03-05

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PDINCH300光纤耦合型/插拔式扩展型InGaAs探测器

光纤耦合型/插拔式扩展型ingaas探测器

更新时间:2025-03-05

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MP6514S InGaAs单光子阵列探测器组件 950-1650nm

器件类型 ingaas apd；工作波长 950～1650nm；阵列规模 4x4；像元大小 100μm x 100μm；光敏面大小 85μm x 85μm；石英光窗；探测效率 ≥10% (1.57+0.05μm)

更新时间:2025-03-05

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PDR-100M-A * InGaAs平衡探测器 1510-1590nm 带宽DC-100M

探测器类型 ingaas；光谱相应 1510-1590nm；带宽 dc-100m；响应度 0.95@1550nm；外形尺寸 120*100*25mm

更新时间:2025-03-05

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PLC-B-2000- W2.6- TO5 2mm大光敏面InGaAs铟镓砷光电探测器 450-2700nm

光谱响应范围 450-2700nm，光敏面直径 2mm，响应度 1.0a/w @2.2um，ingaas铟镓砷探测器，封装规格 to-5

更新时间:2025-03-05

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SIQ1600 1064nm四象限Si光电探测器光敏面直径16mm 直流响应度0.3A/W

光敏面直径 16mm；直流响应度 0.3a/w；光敏材料 si；击穿电压 200v

更新时间:2025-03-05

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MP-Si-8-TO8 8mm 大光敏面硅Si硅光电探测器响应波段400-1100nm

8mm光敏面直径，响应波段：400-1100nm，si基材料响应速度：＜25ns，to8封装

更新时间:2025-03-05

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6mm 大光敏面硅Si光电探测器响应波段400-1100nm

6mm光敏面，响应波段：400-1100nm，si基材料响应速度：＜2ns,to8封装

更新时间:2025-03-05

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MP-Si-4-TO8 法兰式Si光电探测器光敏面积4mm 响应波段400-1100nm

4mm光敏面，法兰式结构，响应波段：400-1100nm，si基材料响应速度：＜2ns，to8封装

更新时间:2025-03-05

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MP-Si-02-ADP 法兰式SI光电探测器光敏面积200um 响应波段400-1100nm

200um光敏面直径,法兰式结构，响应波段：400-1100nm，si基材料响应速度：＜2ns

更新时间:2025-03-05

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MP-Si-02-FC-SA 光纤耦合式Si光电探测器光敏面直径200um 响应速度＜2ns

200um光敏面直径,单模光纤耦合，响应波段：400-1100nm，si基材料响应速度：＜2ns，fc/apc接头

更新时间:2025-03-05

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MP-Si-2-TO5 2mm SI光电探测器响应波段400-1100nm 响应速度＜8ns

2mm直径光敏面，响应波段：400-1100nm，si基材料响应速度：＜8ns，to5封装

更新时间:2025-03-05

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PDAM36A5B6G-SI 硅Si放大型光电探测器 320-1100nm DC-200kHz

输入电压±9vdc, 100ma 探头silicon pin 感光面3.6mm * 3.6mm 波长320-1100nm 峰值响应0.6 a/w @960nm,1 mv/nw @960nm 饱和光功率6uw @960nm(hi-z) 带宽dc - 200khz

更新时间:2025-03-05

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BPD-Si-100M-B 硅Si光电平衡探测器 400-1100nm 100MHz 响应度0.55@850nm

工作波长400~1100nm 带宽100mhz 探测器型号: si硅探测器响应度 0.55@850nm

更新时间:2025-03-05

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T2SL-PCAS-2TE-9-0.1X0.1 II型超晶格两热电冷却红外光导探测器 1.6-11um TO8

响应波长范围 1.6-11μm；峰值波长 6.2±0.3μm；探测率~2.8×10^8cm·hz^(1/2)/w@6.2μm；光敏面积 0.1x0.1mm

更新时间:2025-03-05

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P10090-01 砷化铟InAs光伏探测器峰值波长3.35μm 光灵敏度1.0A/W

峰值波长λp：3.35μm 截止波长λc：3.65μm 光灵敏度：1.0a/w 峰值探测率d*：4.5 × 109（cm·hz1/2/w） nep：1.5 × 10-11（w/hz1/2） to-5封装

更新时间:2025-03-05

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PVIA-2TE-3-1×1-TO8-wAl2O3-36 2-5.5μm 红外两TE冷却InAs光浸式光伏探测器

响应波长范围 2-5.5μm；峰值波长 2.9μm；相对响应强度 ≥5×10^11 cm∙hz^(1/2)/w@2.9μm；光敏面积 1×1mm^2

更新时间:2025-03-05

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PVA-3-0.1×0.1-TO39-NW-90 InAs/InAsSb 光伏探测器响应波长2.15-3.5μm 峰值波长2.95μm

响应波长范围 2.15-3.5μm；峰值波长 2.95μm；相对响应强度≥5×10^9 cm∙hz^(1/2)/w@2.95μm；光敏面积 0.1×0.1mm^2

更新时间:2025-03-05

该公司产品分类：筱晓（上海）光子技术有限公司

GE-10X10-0.95 Ge锗光电二管探测器 800-1800nm 响应度0.95A/W

响应波长范围 800-1800nm；响应度 0.95 a/w；有效面积 10 mm x 10 mm；材料 ge

更新时间:2025-03-05

该公司产品分类：筱晓（上海）光子技术有限公司

ET-3010 铟镓砷 InGaAs 光电探测器带宽>2GHz 有效面积直径100um

材料：ingaas 上升／下降时间：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ；响应度：０.９ａ／ｗ＠１３００ｎｍ；带宽：＞２ｇｈｚ；有效面积直径：１００ｕｍ；输出连接：bnc

更新时间:2025-03-05

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