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其他产品及厂家

TDLAS-HC-7.4-H2O 7.4umQCL结合空芯光纤气室气体分析系统分析空气中H2O

产品清单:7.4um中红外量子联激光器, 5米长光程小型化mini中红外空芯光纤气体吸收池, 2-15um碲镉汞（mct）中红外光电探测器, 含操作软件，产品操作手册

更新时间:2025-03-05

该公司产品分类：筱晓（上海）光子技术有限公司

TDLAS-HC-FC-7.4-H2O 7.4umQCL结合空芯光纤气体吸收池分析系统

产品清单 7.4um中红外量子联激光器 ,中空光纤式气体吸收池光程范围：0.1至5m, 2-15um碲镉汞（mct）中红外光电探测器

更新时间:2025-03-05

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HC-5-MIR 5米长光程小型化Mini中红外气体吸收池波长3-12um

有效光程 5m；波长范围 3-12um；输出发散角 30mrad；操作大气压 0.01-1atm

更新时间:2025-03-05

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PL-40-S3-AR6-FSA 40米长光程气体吸收池工作波长1300~1700nm 光纤SMF-28E

工作波长 1300~1700nm；光程 40米；材质 sus304；气体口直径 6mm；光纤类型 smf-28e；接口 fc/apc

更新时间:2025-03-05

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3L3米长光程气体吸收池

根据可调谐半导体激光吸收光谱技术(tdlas),采用herriott池凹面反射镜构建成多反腔长光程气体池，反射镜片采用镀高质量的金、银和保护层镀膜，具有高的反射率。以紧凑的设计提供了相对较长的吸收光路，高精细度的光学腔气体池整体都采用优质耐腐材质制造，适用于工业产品应用开发、高灵敏度气体分析、各大院校、科学研究、在线环境监测等。

更新时间:2025-03-05

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HC-OP3-MIR-SA 中红外3米低成本全光纤气体吸收池波长1900-2400nm

有效光程 3m；波长范围 1900-2400nm；透射率＞20%；输入大功率 500mw；输入输出类型长飞易贝超强弯曲不敏感光纤；反射镜介质膜

更新时间:2025-03-05

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HT-30L 30米长光程气体吸收池工作波长0.3-12um 光束直径≤3mm

工作波长 0.3 - 12um；光程 30米；光束直径 ≤3mm；光纤类型 smf-28e，φ6 快接头

更新时间:2025-03-05

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HT-15L 15米长光程气体吸收池波长750-3000nm 光束直径≤3.5mm

工作波长 750~3000nm；光程 15米；光束直径 ≤3.5mm；光纤类型 smf-28e

更新时间:2025-03-05

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10米光程小型化气室波长1960-2400nm 功率2mW

有效光程 10m；波长范围 1960-2400nm；输入大光功率 2mw；插入损耗 ≤2db；输出类型 pd

更新时间:2025-03-05

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20米长光程气体紧凑型吸收池波长1310-1670nm 光纤SMF-28E

有效光程 20米；工作波长 1310-1670nm；镜片镀层 ar 介质膜（>99.8%)；光纤类型 smf-28e；接口 fc/apc ；出口 sma

更新时间:2025-03-05

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MP-100M DTS用高速数据采集卡采样频率100M/125M

a/d 分辨率 12bit；通道数 2通道；数据输出接口 pc104；模拟信号带宽（-3db）100mhz

更新时间:2025-03-05

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NOVA-BL智能型综合控制研磨机系统 NOVA?(研磨连接器/波导芯片/裸光纤)

nova?研磨机的崭新的设计可以适应各种应用，集成了krell现有的scepter, trig及flex研磨机的功能为一体。可以研磨连接器，波导芯片，裸光纤及其他定制产品。

更新时间:2025-03-05

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FLEX-BF Radian裸光纤研磨机角度范围0°-45° 角度重复性±0.5°

角度范围 0度至45度；角度重复性 ± 0.5度；研磨片尺寸 4”；研磨速度可用户调节

更新时间:2025-03-05

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FLEX-BCFLex?光纤波导/芯片研磨机

flex?研磨机专为针对波导,plc,光学芯片,光纤阵列的研磨而设计。拉开及导向式机械锁紧夹具确保夹持不同尺寸的光器件。光器件可进行pc和apc研磨.研磨通过线性变换装置控制并可以进行压力调节。这些措施确保一致的髙重复性研磨效果。波导及光学芯片研磨可调节夹具适于不同尺寸产品研磨拉开及导向式夹具设计无需蜡封及环氧胶水封装可选在线型放大镜观测研磨效果。

更新时间:2025-03-05

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LP-FP-2000-B-10-15-SM 2000nm 10mw中红外台式FP光源

2000nm中红外台式fp光源，输出功率 10mw，谱宽 15nm，1米长尾纤，2mm松套管，sm2000光纤，fc/apc接头

更新时间:2025-03-05

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波长稳定二管激光器波长976nm 输出功率200w

输出功率(出口光纤) w 190 200.0 中心波长 nm 976 波长公差 nm ± 0.5

更新时间:2025-03-05

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P793NT8W 793nm多模无制冷泵浦激光器输出功率8W 光纤芯径105μm

中心波长 793nm，输出功率 8w，光纤芯径 105μm，数值孔径na 0.22，阈值电流 1a，光谱宽度(fwhm) 3 nm

更新时间:2025-03-05

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MIR-QCL-W9000-1-FP-0400 9.0um 高功耗台式FP-QC中红外量子联激光器

峰值工作波长 9.0um，输出功率 400mw，光谱宽度 3nm，输出隔离度 30db，台式规格尺寸 340(l)×240(w)×100(h)mm

更新时间:2025-03-05

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BOA1310070YY300MXXXXBOA1310070YY300MXXXX-光纤耦合半导体功率放大器

中心波长：1310nm；饱和输出功率@-3db：20dbm；带宽@-3db：70nm；偏振消光比：18db；小信号增益@pin=-20dbm：37db，光纤类型：hi1060或pm1300，接头类型：fc/apc；需要套管请备注

更新时间:2025-03-05

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IGA-APD-GM104-R InGaAs盖革模式雪崩光电二管光谱响应范围0.9-1.7μm

光谱响应范围0.9~1.7μm；响应度 @1550nm: 0.85 a/w; 3针to46 封装；smf-28e 光纤耦合；fc/apc, 不带 tce

更新时间:2025-03-05

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IRD-IGS-10 铟镓砷 InGaAs 超大光敏面PIN光电二管 900-1800nm

光谱响应范围 900-1700nm；光敏面直径 10mm；响应度@1550nm 0.95 a/w；光敏材料 ingaas；5 pin脚

更新时间:2025-03-05

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GAP3000/2.2 铟镓砷 InGaAs 光电二管探测器 2.2um扩展型

峰值波长（典型）： 2.0 ± 0.1um 截止波长 (50%): 2.2 ± 0.1um 响应度@ λp(min/typ)：0.9/1.0a/w 有效直径：3mm

更新时间:2025-03-05

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IRPD5521Y-1.25-P-T-PG InGaAs光电二管模块光谱响应800-1600nm

光谱响应范围 800-1600nm，速度 1.25gbps，带tia，5pin脚

更新时间:2025-03-05

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IGA-APD-GM104-R-TEC InGaAs盖革模式雪崩光电二管光谱响应0.9-1.7μm

光谱响应范围0.9~1.7μm；响应度 @1550nm: 0.85 a/w; 6针to8 封装；smf-28e 光纤耦合；fc/apc, 带 tce

更新时间:2025-03-05

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C30902EH 硅Si高性能雪崩光电二管 400-1000nm 感光直径0.5mm 封装TO-18

感光面积：0.2mm2 感光直径：0.5mm 击穿电压：225v 结电容：1.6pf 暗电流：15na 增益：150 噪声电流：0.23pa/√hz 封装：to-18，平面窗口峰值灵敏度波长：830 nm 响应时间：响应度：在830 nm为77 a/w 在900 nm处为65 a/w 上升/下降时间：0.5ns 温度系数：0.7v/°c 波长：400-1100nm

更新时间:2025-03-05

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APD-SI-905-0.5-LCC3 硅Si雪崩光电二管 905nm 400-1100nm 光敏面直径0.5mm

光谱响应范围：400-1100nm 峰值响应波长：905nm 光敏面直径：0.5mm 封装：lcc3

更新时间:2025-03-05

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光电二管放大器混合器 350-1100nm/200-1100nm 封装30/TO-5

光谱范围350-100nm,响应度:(a/w)0.65@970nm, 有效面积(5.1mm2),封装形式30 / to-5

更新时间:2025-03-05

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UPD-30-VSG-PAlphalas UPD超快光电探测器320-900nm

上升时间：＜30ps 带宽：＞10ghz 光谱响应范围：320-900nm 量子效率@peak：40% 光敏面大小：200×200 / 0.04um/mm2 nep：3.0 × 10-15(w/√hz) 暗电流：0.1na 材料：gaas 输入方式：空间光输入 rf信号输出：sma

更新时间:2025-03-05

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GE-10X10-TO9 Ge锗超大光敏PIN光电二管 800-1800nm 直径10mm

光谱响应范围 800-1800nm；光敏面直径 10mm；响应度@1550nm 0.85 a/w；光敏材料 ge；2pin脚

更新时间:2025-03-05

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GE-5X5-TO8 Ge锗大光敏PIN光电二管 800-1800nm 直径5mm

光谱响应范围 800-1800nm，直径 5mm，响应度@1550nm 0.85 a/w，2pin脚

更新时间:2025-03-05

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UPD-5N-IR2-PAlphalas UPD超快光电探测器（800-2600nm ，上升沿时间＜200ps ，InGaAs；Polished； glass）

上升时间：＜200ps 带宽：＞0.3ghz 光谱响应范围：800-2600nm 量子效率@peak：70% 光敏面大小：300/0.07um/mm2 nep：7× 10-13(w/√hz) 暗电流：2000na 材料：ingaas 输入方式：空间光输入 rf信号输出：bnc

更新时间:2025-03-05

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UPD-300-SPAlphalas UPD超快光电探测器（320-1100nm ＜300ps上升沿时间 Si >1GHz 抛光玻璃)

alphalas upd系列自由空间入射超快光电探测器系列适合用于从直流到25ghz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号，覆盖从170至2600nm的光谱范围。所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装，供电方式可以采用电池或外接电源。是可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。

更新时间:2025-03-05

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ET-2070硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT

产品总览筱晓光子公司代理美国的eot(electro-optics technology)公司全线产品eot 的<10 ghz 光电探测器包含 pin 光电二极管，利用光伏效应将光功率转换为电流。

更新时间:2025-03-05

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WL-IPD4B 数字集成光电二管 1kHz 高精度低漂移

电源电压(vs) 提供的usb:5v ,电源电流正常工作(1khz) :90ma

更新时间:2025-03-05

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MIR QWIP5um 超快中红外探测器中红外量子阱红外探测器 QWIP

mir qwip是基于的qwip技术而研发的一款超快速中红外探测器。它的响应速度高达数十ghz，是市场上最快的检测器。它是表征qcl频率梳、构建外差仪器、开发中红外高带宽光学通信链路的完quan工具。qwip的技术是卡洛·瑟托里教授在pierre aigrain实验室研发的。我们对包装和设备进行了优化，以适应低温下的超高速运行。

更新时间:2025-03-05

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