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PB1319光纤耦合太赫兹光混频器
pb1319系列太赫兹光混频器在一个实用、坚固、光纤耦合的封装中提供成熟的低温砷化镓半导体技术。
更新时间:2025-03-05
 太赫兹光导天线 激光波长1540nm-1560nm 平均光功率1mW-15mW
t-era-20d-1550-air太赫兹光电导天线(thz-pca)用于在thz时域系统中生成和检测高功率和宽带太赫兹脉冲。t-era-20d-1550-air thz-pca是在高阻超快外延生长的多量子阱ingaas-inalas衬底上制成的,并包装在tetechs正在申请zhuan利的thz芯片外壳模块中。外壳模块容纳thz-pca,并在thz-pca芯片的背面安装了准直的高电阻硅透镜。
更新时间:2025-03-05
微纳光纤定制加工
产品总览微纳光纤是一种直径接近或小于传输光波长的波导,由物理拉伸方法制得,具有表面光滑、直径均匀性好、机械性能高、强光场约束、强倏逝场、表面场增强效应及反常波导色散等特性,在光通信、激光、传感检测、非线性光学、量子光学等领域具有重要的应用前景。
更新时间:2025-03-05
 干涉型单模微纳光纤传感器 工作波长1270-2000nm
工作波长 1270-2000nm;双锥形光纤腰椎直径 800nm;锥形光纤腰椎宽度 2mm;附加损耗 ≤7db;包层直径 125um;光纤类型 smf-28e;连接头类型 fc/apc
更新时间:2025-03-05
 光纤端面带通滤波镀膜 CWL 760±7nm HW:37±7nm
cwl: 760 ±7 nm;hw: 37 ±7 nm;tmin: 60 %;blocking: 1200 nm
更新时间:2025-03-05
 边抛光纤/D型光纤定制加工 工作波长430-2000nm 边抛长度17mm
工作波长430-2000nm,边抛长度 17mm,1米长尾纤,900um松套管,smf-28e光纤,c/apc or fc/pc接头
更新时间:2025-03-05
 MFD模场直径匹配光纤定制加工 工作波长430-2000nm 附加损耗<0.2dB
工作波长 430-2000nm;附加损耗 <0.2db;消光比 >20db;抛长度 17mm;光纤类型 smf-28e;连接头类型 fc/apc
更新时间:2025-03-05
 光学元件镀膜 镀膜波长430-2000nm 镀膜类型HR/AR
镀膜波长 430-2000nm;镀膜类型 hr/ar;反射率/透射率要求 0.1-99.9%;支持镀膜材料 窗片、透镜、光纤端面(带陶瓷插芯);支持光学元件设计加工
更新时间:2025-03-05
 中红外加工镀膜服务 反射率99% 镀膜波长2000-5500nm
中红外定制镀膜服务(以1inch窗片为例,每次多镀膜24pcs)
更新时间:2025-03-05
 中红外光学镀膜 XP-BAR镀膜
为红外光谱区域设计包括:分束器镀膜;防反射镀膜;带通镀膜;反射镀膜;保护镀膜;连接镀膜(具体见订购消息)
更新时间:2025-03-05
 中红外5米光程简波宽带气室 2-12um
波长范围 2~12um;有效光程 5m;输入大光功率 500mw;插入损耗 ≤5db;材质 316l;气体口直径 6mm;空间光接入
更新时间:2025-03-05
 中空光纤式气体吸收池 光程长范围0.1-5m 体积小巧 灵活布局
• 其简单和稳固的对齐方式 • 波长范围:紫外到长波红外 • 光程长范围:0.1至5m • 低样品量:< 10ml • 体积小巧;灵活布局
更新时间:2025-03-05
 TDLAS分析综合控制器 1.0A 3.3V
14引脚蝶形封装激光器;大驱动电流 1.0a ;大驱动电压 3.3v;温控范围 -10 ~ 50℃ (不包括激光器) pl-tdlas-14-1 其中14:14引脚蝶形封装激光器 1:大驱动电流1a
更新时间:2025-03-05
 TDLAS控制板/FPGA全数字设计 激光电流0-200mA
1f 调制频率 31.4 khz正弦波;输出信号范围 0-5v (triggers = 3.3v lvttl);输出信号分辨率 16 bits 模拟 r/c;激光电流范围 0 - 200 ma (custom avail.);兼容的探测器 ingaas, insb, si, 可定制
更新时间:2025-03-05
 C波段波长校准器 C2H2乙炔气体吸收池 波长1510-1540nm
波长范围 nm 1510 to 1540, 波长精度2 pm < ± 0.3pm (扩展不确定度)
更新时间:2025-03-05
 7.4umQCL结合空芯光纤气室气体分析系统 分析空气中H2O
产品清单:7.4um中红外量子联激光器, 5米长光程小型化mini中红外空芯光纤气体吸收池, 2-15um碲镉汞(mct)中红外光电探测器, 含操作软件,产品操作手册
更新时间:2025-03-05
 7.4umQCL结合空芯光纤气体吸收池分析系统
产品清单 7.4um中红外量子联激光器 ,中空光纤式气体吸收池 光程范围:0.1至5m, 2-15um碲镉汞(mct)中红外光电探测器
更新时间:2025-03-05
 5米长光程小型化Mini中红外气体吸收池 波长3-12um
有效光程 5m;波长范围 3-12um;输出发散角 30mrad;操作大气压 0.01-1atm
更新时间:2025-03-05
 40米长光程气体吸收池 工作波长1300~1700nm 光纤SMF-28E
工作波长 1300~1700nm;光程 40米;材质 sus304;气体口直径 6mm;光纤类型 smf-28e;接口 fc/apc
更新时间:2025-03-05
3米长光程气体吸收池
根据可调谐半导体激光吸收光谱技术(tdlas),采用herriott池凹面反射镜构建成多反腔长光程气体池,反射镜片采用镀高质量的金、银和保护层镀膜,具有高的反射率。以紧凑的设计提供了相对较长的吸收光路,高精细度的光学腔气体池整体都采用优质耐腐材质制造,适用于工业产品应用开发、高灵敏度气体分析、各大院校、科学研究、在线环境监测等。
更新时间:2025-03-05
 中红外3米低成本全光纤气体吸收池 波长1900-2400nm
有效光程 3m;波长范围 1900-2400nm;透射率>20%;输入大功率 500mw;输入输出类型 长飞易贝超强弯曲不敏感光纤;反射镜 介质膜
更新时间:2025-03-05
 30米长光程气体吸收池 工作波长0.3-12um 光束直径≤3mm
工作波长 0.3 - 12um;光程 30米;光束直径 ≤3mm;光纤类型 smf-28e,φ6 快接头
更新时间:2025-03-05
 15米长光程气体吸收池 波长750-3000nm 光束直径≤3.5mm
工作波长 750~3000nm;光程 15米;光束直径 ≤3.5mm;光纤类型 smf-28e
更新时间:2025-03-05
 10米光程小型化气室 波长1960-2400nm 功率2mW
有效光程 10m;波长范围 1960-2400nm;输入大光功率 2mw;插入损耗 ≤2db;输出类型 pd
更新时间:2025-03-05
 20米长光程气体紧凑型吸收池 波长1310-1670nm 光纤SMF-28E
有效光程 20米;工作波长 1310-1670nm;镜片镀层 ar 介质膜(>99.8%);光纤类型 smf-28e;接口 fc/apc ;出口 sma
更新时间:2025-03-05
 DTS用高速数据采集卡 采样频率100M/125M
a/d 分辨率 12bit;通道数 2通道;数据输出接口 pc104;模拟信号带宽(-3db)100mhz
更新时间:2025-03-05
智能型综合控制研磨机系统 NOVA?(研磨连接器/波导芯片/裸光纤)
nova?研磨机的崭新的设计可以适应各种应用,集成了krell现有的scepter, trig及flex研磨机的功能为一体。 可以研磨连接器,波导芯片,裸光纤及其他定制产品。
更新时间:2025-03-05
 Radian裸光纤研磨机 角度范围0°-45° 角度重复性±0.5°
角度范围 0度至45度;角度重复性 ± 0.5度;研磨片尺寸 4”;研磨速度可用户调节
更新时间:2025-03-05
FLex?光纤波导/芯片研磨机
flex?研磨机专为针对波导,plc,光学芯片,光纤阵列的研磨而设计。拉开及导向式机械锁紧夹具确保夹持不同尺寸的光器件。光器件可进行pc和apc研磨.研磨通过线性变换装置控制并可以进行压力调节。这些措施确保一致的髙重复性研磨效果。波导及光学芯片研磨 可调节夹具适于不同尺寸产品研磨 拉开及导向式夹具设计无需蜡封及环氧胶水封装 可选在线型放大镜观测研磨效果。
更新时间:2025-03-05
 2000nm 10mw中红外台式FP光源
2000nm中红外台式fp光源,输出功率 10mw,谱宽 15nm,1米长尾纤,2mm松套管,sm2000光纤,fc/apc接头
更新时间:2025-03-05
 波长稳定二管激光器 波长976nm 输出功率200w
输出功率(出口光纤) w 190 200.0 中心波长 nm 976 波长公差 nm ± 0.5
更新时间:2025-03-05
 793nm多模无制冷泵浦激光器 输出功率8W 光纤芯径105μm
中心波长 793nm,输出功率 8w,光纤芯径 105μm,数值孔径na 0.22,阈值电流 1a,光谱宽度(fwhm) 3 nm
更新时间:2025-03-05
 9.0um 高功耗台式FP-QC中红外量子联激光器
峰值工作波长 9.0um,输出功率 400mw,光谱宽度 3nm,输出隔离度 30db,台式规格尺寸 340(l)×240(w)×100(h)mm
更新时间:2025-03-05
BOA1310070YY300MXXXX-光纤耦合半导体功率放大器
中心波长:1310nm;饱和输出功率@-3db:20dbm;带宽@-3db:70nm;偏振消光比:18db;小信号增益@pin=-20dbm:37db,光纤类型:hi1060或pm1300,接头类型:fc/apc;需要套管请备注
更新时间:2025-03-05
 InGaAs盖革模式雪崩光电二管 光谱响应范围0.9-1.7μm
光谱响应范围0.9~1.7μm;响应度 @1550nm: 0.85 a/w; 3针to46 封装;smf-28e 光纤耦合;fc/apc, 不带 tce
更新时间:2025-03-05
 铟镓砷 InGaAs 超大光敏面PIN光电二管 900-1800nm
光谱响应范围 900-1700nm;光敏面直径 10mm;响应度@1550nm 0.95 a/w; 光敏材料 ingaas;5 pin脚
更新时间:2025-03-05
 铟镓砷 InGaAs 光电二管探测器 2.2um扩展型
峰值波长(典型): 2.0 ± 0.1um 截止波长 (50%): 2.2 ± 0.1um 响应度@ λp(min/typ):0.9/1.0a/w 有效直径:3mm
更新时间:2025-03-05
 InGaAs光电二管模块 光谱响应800-1600nm
光谱响应范围 800-1600nm,速度 1.25gbps,带tia,5pin脚
更新时间:2025-03-05
 InGaAs盖革模式雪崩光电二管 光谱响应0.9-1.7μm
光谱响应范围0.9~1.7μm;响应度 @1550nm: 0.85 a/w; 6针to8 封装;smf-28e 光纤耦合;fc/apc, 带 tce
更新时间:2025-03-05
 硅Si高性能雪崩光电二管 400-1000nm 感光直径0.5mm 封装TO-18
感光面积:0.2mm2 感光直径:0.5mm 击穿电压:225v 结电容:1.6pf 暗电流:15na 增益:150 噪声电流:0.23pa/√hz 封装:to-18,平面窗口 峰值灵敏度波长:830 nm 响应时间: 响应度: 在830 nm为77 a/w 在900 nm处为65 a/w 上升/下降时间:0.5ns 温度系数:0.7v/°c 波长:400-1100nm
更新时间:2025-03-05
 硅Si雪崩光电二管 905nm  400-1100nm 光敏面直径0.5mm
光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.5mm 封装:lcc3
更新时间:2025-03-05
 光电二管放大器混合器 350-1100nm/200-1100nm 封装30/TO-5
光谱范围350-100nm,响应度:(a/w)0.65@970nm, 有效面积(5.1mm2),封装形式30 / to-5
更新时间:2025-03-05
Alphalas UPD超快光电探测器320-900nm
上升时间:<30ps 带宽:>10ghz 光谱响应范围:320-900nm 量子效率@peak:40% 光敏面大小:200×200 / 0.04um/mm2 nep:3.0 × 10-15(w/√hz) 暗电流:0.1na 材料:gaas 输入方式:空间光输入 rf信号输出:sma
更新时间:2025-03-05
 Ge锗超大光敏PIN光电二管 800-1800nm 直径10mm
光谱响应范围 800-1800nm;光敏面直径 10mm;响应度@1550nm 0.85 a/w; 光敏材料 ge;2pin脚
更新时间:2025-03-05
 Ge锗大光敏PIN光电二管 800-1800nm 直径5mm
光谱响应范围 800-1800nm,直径 5mm,响应度@1550nm 0.85 a/w,2pin脚
更新时间:2025-03-05
Alphalas UPD超快光电探测器(800-2600nm ,上升沿时间<200ps ,InGaAs;Polished; glass)
上升时间:<200ps 带宽:>0.3ghz 光谱响应范围:800-2600nm 量子效率@peak:70% 光敏面大小:300/0.07um/mm2 nep:7× 10-13(w/√hz) 暗电流:2000na 材料:ingaas 输入方式:空间光输入 rf信号输出:bnc
更新时间:2025-03-05
Alphalas UPD超快光电探测器(320-1100nm <300ps上升沿时间 Si >1GHz 抛光玻璃)
alphalas upd系列自由空间入射超快光电探测器系列适合用于从直流到25ghz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号,覆盖从170至2600nm的光谱范围。所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装,供电方式可以采用电池或外接电源。是可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。
更新时间:2025-03-05
硅 Silicon  ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT
产品总览筱晓光子公司代理美国的eot(electro-optics technology)公司全线产品eot 的<10 ghz 光电探测器包含 pin 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。
更新时间:2025-03-05
 数字集成光电二管 1kHz 高精度 低漂移
电源电压(vs) 提供的usb:5v ,电源电流 正常工作(1khz) :90ma
更新时间:2025-03-05
5um 超快中红外探测器 中红外量子阱红外探测器 QWIP
mir qwip是基于的qwip技术而研发的一款超快速中红外探测器。它的响应速度高达数十ghz,是市场上最快的检测器。它是表征qcl频率梳、构建外差仪器、开发中红外高带宽光学通信链路的完quan工具。qwip的技术是卡洛·瑟托里教授在pierre aigrain实验室研发的。我们对包装和设备进行了优化,以适应低温下的超高速运行。
更新时间:2025-03-05

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