等离子体刻蚀设备产品及厂家
sentech si 500 ccp 系统使用动态温度控制和氦背冷却，代表了材料蚀刻灵活性的优势。等离子体蚀刻过程中的衬底温度设置和稳定性是高质量蚀刻的严格标准。具有动态温度控制功能的衬底电与氦气背面冷却和晶圆背面温度传感相结合，可在很宽的温度范围内提供出色的工艺条件。
更新时间:2024-08-14
sentech si 591 紧凑型 rie 等离子蚀刻系统具有负载锁定功能，是氯基和氟基 rie 的紧凑型解决方案。具有出色的工艺可重复性和等离子蚀刻工艺灵活性，这得益于真空负载锁定和由计算机控制的等离子体蚀刻工艺条件。灵活性、模块化和小尺寸是 sentech si 591 compact 的设计特点。可以装载直径达 200 mm 的样品和载体。该系统可以配置为穿墙操作或具有多种选项的小占地
更新时间:2024-08-14
sentech etchlab 200 rie等离子蚀刻系统代表了一系列直接加载等离子体蚀刻系统，结合了rie平行板电设计的优点和直接负载的成本效益设计。
更新时间:2024-08-14
sentech si 500 c 低温 icp-rie 等离子体蚀刻系统代表了电感耦合等离子体 （icp） 处理的沿技术，其宽温度范围为 -150 °c 至 150 °c。 该工具包括 icp 等离子体源 ptsa、一个动态温控基板电、一个受控的真空系统和一个非常易于操作的用户界面。灵活性和模块化是设计特点。该系统可以配置为处理各种精细结si, sio2, si3n4, gaas和inp
更新时间:2024-08-14
herent® chimera® m 金属刻蚀设备，为针对12英寸ic产业0.18微米以下后道高密度铝导线互连工艺所开发的用产品， 同时也可应用于铝垫（al pad）刻蚀。该设备承袭了 chimera® a 的先进设计理念，具有出色的均匀性调控手段， 可以为客户提供高性价比的解决方案。
更新时间:2024-08-14
herent® chimera® a 金属硬掩膜刻蚀设备，为针对 12 英寸 ic 产业的后道铜互连中氮化钛（tin）金属硬掩膜刻蚀（metal hardmask open） 这一
更新时间:2024-08-14
tebaank® pishow® p 硅刻蚀设备是面向8英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（icp etch chamber）以及传输模块（transfer module）构成适用于0.11微米及其它技术代的多晶硅栅（poly gate）、侧墙（spacer）、浅沟槽隔离（sti）工艺
更新时间:2024-08-14
kessel™ pishow® m 金属刻蚀设备为可用于8英寸的ic产线铝金属工艺的量产型机台，基于自有开发的优化设计，保证了优异的刻蚀均匀性（片内<8%，片间<5%）和颗粒控制。在4微米厚铝刻蚀工艺中，可以提供8000片/月的产能。
更新时间:2024-08-14
详细介绍icp是一种加工微纳结构的等离子刻蚀技术。具有刻蚀快、选择比高、各项异性高、刻蚀损伤小、均匀性好、断面轮廓可控性高、刻蚀表面平整度高等优点。目被广泛应用于si、sio2、sinx、金属、iii-v族化合物等材料的刻蚀。可应用于大规模集成电路、mems、光波导、光电子器件等域中各种微结构的制作。
更新时间:2024-08-14
ccp腔室适用于制造微纳结构的等离子刻蚀技术。在反应离子刻蚀过程中，等离子体中会包含大量的活性粒子，与表面原子产生化学反应，生成可挥发产物后，随真空抽气系统排出。鲁汶仪器的 haasrode® avior® a 在性价比和空间利用率上优点突出，可提供各种不同材料的刻蚀解决方案。
更新时间:2024-08-14
pishow® d 系列深刻蚀设备，是针对8英寸~6英寸产线或科研深硅刻蚀工艺的用设备，拥有自主开发的优化设计，保证了优异的刻蚀精度控制和损伤控制。提供si bosch工艺的解决方案。该设备高性价比的解决方案和优秀的空间利用率，可帮助不同客户实现产能升。
更新时间:2024-08-14
lmec-300™ 是鲁汶仪器针对特种金属膜层刻蚀而推出的 12 英寸集成设备，应用于新兴存储器件的制备。此类器件的核心功能单元含有成分复杂的金属叠层，例如磁存储器的磁隧道节（mtj）、相
更新时间:2024-08-14
pangea®a系列常规ibs设备由离子源栅引出正离子并加速，中性束流撞击样品表面，溅射形成刻蚀图像。由于等离子体的产生远离晶圆空间，起辉不受非挥发性副产物的影响。这种物理方案，几乎可以用来刻蚀任何固体材料，包括金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体等。栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制，提升了工艺可控性。
更新时间:2024-08-14
lorem® a 系列常规 ibs 设备，由离子源栅引出正离子并加速，中性束流撞击样品表面，溅射形成刻蚀图像。由于等离子体的产生远离晶圆空间，起辉不受非挥发性副产物的影响。这种物理方案，几
更新时间:2024-08-14
eis-1500是由elionix研发的108mm的大直径光束，通过充分利用光束面内分布监控功能，可以实现各向异性干法蚀刻的离子束刻蚀设备。
更新时间:2024-08-09
对应光学器件、mems制造的干法刻蚀装置nld-5700对应光学器件、mems制造的干法刻蚀装置nld-5700是搭载了磁性中性线（nld- neutral loop discharge）等离子源的量产用干法刻蚀装置。（可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子）
更新时间:2024-06-27
1.方案是适用于大 8 吋晶圆的多腔等离子体沉积/刻蚀工艺系统2.系统可用于研发和小批量生产3.系统兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圆和不规则碎片；不同尺寸样片之间的切换、无需反应腔的开腔破真空
更新时间:2024-06-04
?1.方案是适用于大 8 吋晶圆的多腔等离子体刻蚀工艺系统?2.系统可用于研发和小批量生产?3.系统兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圆和不规则碎片；不同尺寸样片之间的切换、无需反应腔的开腔破真空
更新时间:2024-06-04
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