湿法腐蚀/刻蚀设备产品及厂家
icp-rie plasma etcher - si 500-300 multiwafer si 500-300多晶圆等离子刻蚀机300 mm / 400 mm 载板，用于多片晶圆
更新时间:2024-12-24
德国sentech 等离子刻蚀机 si 500 rie，rie 蚀刻机，最大 8 英寸晶圆, 带可选的 icp 源扩展
更新时间:2024-12-24
德国sentech 多晶圆等离子体反应刻蚀机 etchlab 380，最大 300 mm 晶圆，用于多个晶圆的 380 mm 载体
更新时间:2024-12-24
德国sentech pecvd沉积设备 depolab 200， 最大 8 英寸晶圆，高达 400°c 的基板温度，低频混合，300-500 khz 可选
更新时间:2024-12-24
德国sentech pecvd沉积设备 si 500 ppd,最大 8 英寸晶圆, 高达 350°c 的基板温度, 低频混合，300-500 khz可选
更新时间:2024-12-24
德国sentech pecvd沉积设备 si 500 d，最大 8 英寸晶圆，rt....300/400°c 基板温度
更新时间:2024-12-24
德国sentech 原子层沉积设备 si adl ll/ si peald ll,在 8 英寸晶圆和玻璃基板上实现高度均匀的薄膜厚度, 在具有高纵横比的模型上进行 3d保形沉积, 400/500°c 基板温度, 最大 8 英寸晶圆.
更新时间:2024-12-24
德国sentech 原子层沉积设备 si adl ll/ si peald ll,在 8 英寸晶圆和玻璃基板上实现高度均匀的薄膜厚度, 在具有高纵横比的模型上进行 3d保形沉积, 400/500°c 基板温度, 最大 8 英寸晶圆.
更新时间:2024-12-24
德国sentech多腔体沉积镀膜刻蚀设备,集群配置,所有等离子工具都可以排列在一个集群工具中。提供用于研发和高吞吐量生产的集群。通过单个晶圆装载锁和/或晶圆盒站装载晶圆。
更新时间:2024-12-24
pse v300主要用于12英寸深硅刻蚀，同时兼具bosch/non-bosch工艺，实现多工艺域覆盖。该机台针对bosch循环工艺方式采用业先进的快速响应硬件配置及软件流程控制，结合先进的工艺技术，可实现超高深宽比下良好的工艺性能，配置多腔平台，满足大产能量产使用需求。
更新时间:2024-09-04
pd-270stlc是一种低温(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强cvd系统，可用于大规模生产。samco的液态源cvd系统采用自偏置沉积技术和液态teos源，以低应力沉积sio2薄膜，从薄膜到厚的薄膜（高达100 µm）。
更新时间:2024-08-15
rie-10nr是一种新型的低成本、高性能的全自动rie等离子刻蚀设备，它能满足非腐蚀性气体化学苛刻的工艺要求。计算机化的触摸屏为参数控制和存储提供了一个用户友好的界面。
更新时间:2024-08-15
rie-230ip是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的负载锁定型icp蚀刻系统。该系统通过采用龙卷风式线圈电，高效地产生稳定的高密度等离子体，可对硅及各种金属薄膜和化合物半导体进行高精度的各向异性蚀刻。
更新时间:2024-08-15
rie-400ip是用于ø4 “晶圆的负载锁定型蚀刻系统，等离子体（icp）刻蚀设备可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工。采用龙卷风线圈的电感耦合等离子体(inductively coupled plasma)作为放电形式，可产生均匀、高密度的等离子体。
更新时间:2024-08-15
rie-802bct深硅刻蚀设备是采用电感耦合等离子体作为放电形式的两个反应室的量产用硅深孔系统。标准配置有空气盒和晶圆边缘保护环，以及高精度的晶圆对准器。该高性能系统能够进行高长宽比加工（超过100）和低扇形加工，同时保持高蚀刻率和抗蚀剂选择率。
更新时间:2024-08-15
凭借在蚀刻gan，sic和蓝宝石等材料方面的丰富经验，我们的技术既能够满足性价比的要求、又能使器件的性能得到更优化。plasmapro 100 polaris单晶圆刻蚀系统为得到更为精细的刻蚀效果提供了智能解决方案，使您在行业中能保持竞争优势。
更新时间:2024-08-14
rie-200c是在拥有丰富交货业绩的ccp rie系统 “rie-10nr “的基础上开发的量产型盒式装载系统。该系统可对si、poly-si、sio₂、sin等各种硅薄膜进行高精度蚀刻和灰化。采用双盒双臂机械手，plc控制全自动操作，高性能存储工艺参数，实现了高产量。
更新时间:2024-08-14
高密度等离子体刻蚀设备采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。
更新时间:2024-08-14
plasmapro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。
更新时间:2024-08-14
sentech 集群系统包括等离子体蚀刻和/或沉积模块、一个转移室和一个真空负载锁或盒式站。包括搬运机器人在内的转移室有三到六个端口。多可以使用两个盒式磁带站来提高吞吐量。
更新时间:2024-08-14
plasmapro 800系列是结构紧凑、且使用方便的直开式系统，该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻（rie）工艺提供了灵活的解决方案。大尺寸的晶圆平台能够处理量产别的批量以及300mm晶圆的工艺。
更新时间:2024-08-14
rie-1c是用于半导体芯片故障分析的小型台式干式蚀刻系统。可以高效、低损伤地去除钝化膜。它操作简单，样品放置后只需按一下按钮就可以完成整个过程。可以放在桌面上，也可以选择用支架。
更新时间:2024-08-14
rie-300nr是一种理想的rie等离子刻蚀设备，适用于加工ø300mm晶圆和多晶圆（ø3“×12，ø4“×8等），具有优异的均匀性。该系统的设计旨在大限度地减少工厂空间需求，提高产量，大限度地延长正常运行时间，并通过可靠的硬件和便捷的服务降低拥有成本。
更新时间:2024-08-14
高密度等离子刻蚀装置ulhitetm ne-7800h高密度等离子客户装置ulhite ne-7800h是对应刻蚀feram、mram、reram、pcram等器件所用的高难度刻蚀材料（强电介质层、贵金属、磁性膜等）的multi-chamber型低压高密度等离子刻蚀设备。
更新时间:2024-06-27
研究开发向nld干法刻蚀设备nld-570研究开发向nld干法刻蚀设备nld-570，是搭载了爱发科磁性中性线（nld- neutral loop discharge）等离子源的装置，此nld技术可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子。
更新时间:2024-06-27
干法刻蚀设备 apios ne-950ex对应led量产用的干法刻蚀设备｢ne-950ex｣相对我司以往设备实现了140%的生产力。是搭载了icp高密度等离子源和爱发科自有的星型电的干法刻蚀设备。
更新时间:2024-06-27
rie-802bct是采用电感耦合等离子体作为放电形式的两个反应室的量产用硅深孔系统。标准配置有空气盒和晶圆边缘保护环，以及高精度的晶圆对准器。该高性能系统能够进行高长宽比加工（超过100）和低扇形加工，同时保持高蚀刻率和抗蚀剂选择率。
更新时间:2024-06-25
rie-800bct是使用电感耦合等离子体作为放电形式的生产型硅drie系统。这种高性能系统能够进行高纵横比处理（超过100）和低扇形处理，同时保持高蚀刻率和选择性。
更新时间:2024-06-25
rie-400ip是用于ø4 "晶圆的负载锁定型蚀刻系统，可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工。采用独特的龙卷风线圈的电感耦合等离子体(inductively coupled plasma)作为放电形式，可产生均匀、高密度的等离子体。另外，可以根据加工材料和加工内容选择合适的等离子体源。
更新时间:2024-06-25
rie-230ipc是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的盒式icp蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电，高效地产生稳定的高密度等离子体，实现了对硅、各种金属薄膜和化合物半导体的高精度各向异性蚀刻。此外，ø230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。
更新时间:2024-06-25
rie-230ip是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的负载锁定型icp蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电，高效地产生稳定的高密度等离子体，可对硅及各种金属薄膜和化合物半导体进行高精度的各向异性蚀刻。此外，ø230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。
更新时间:2024-06-25
rie-10nr是一种新型的低成本、高性能的全自动反应离子蚀刻系统，它能满足非腐蚀性气体化学苛刻的工艺要求。计算机化的触摸屏为参数控制和存储提供了一个用户友好的界面。该系统可实现精确的侧壁轮廓控制和材料间的高蚀刻选择性。rie-10nr具有时尚、紧凑的设计，需要小的洁净室空间。
更新时间:2024-06-25
高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。
更新时间:2024-06-25
rie-200nl是一种负载锁定型的反应离子蚀刻系统，它提高了工艺的可重复性，并允许腐蚀性气体化学。完全优化的工艺室设计可在ø8 "晶圆或ø220mm小晶圆的载盘上提供优异的均匀性。该系统可实现精确的侧壁轮廓控制和材料之间的高蚀刻选择性。rie-200nl设计时尚、紧凑，只需小的洁净室空间。
更新时间:2024-06-25
samco 的 rie-800ipb 是一种高性能的电感耦合等离子体 (icp) 蚀刻系统，使用高密度等离子体进行 mems 和 tsv 应用所需的深度硅蚀刻。rie-800ipb是为bosch工艺设计的用硅蚀刻系统（由robert bosch gmbh授权）。
更新时间:2024-06-25
rie-400ipb是一款电感耦合等离子体放电设备，用于博世mems和电子元件工艺中的高速硅深孔加工。rie-800ipb是为研究和开发目的而改装的。该系统由robert bosch gmbh（德国）授权，能够对mems和tsv所需的硅进行高速和高各向异性蚀刻。
更新时间:2024-06-25
高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。
更新时间:2024-06-25
rie-350ipc是一种盒式装载电感耦合等离子体(icp)蚀刻设备，可处理多达ø350毫米的载盘，用于多晶圆批量处理。该系统为各种蚀刻应用提供了坚固可靠的硬件和卓越的工艺控制，具有较高的生产率，如功率器件、微型led、vcsel、ld、电容器和射频滤波器。
更新时间:2024-06-25
rie-200c是在拥有丰富交货业绩的ccp rie系统 "rie-10nr "的基础上开发的量产型盒式装载系统。该系统可对si、poly-si、sio₂、sin等各种硅薄膜进行高精度蚀刻和灰化。采用双盒双臂机械手，plc控制全自动操作，高性能存储工艺参数，实现了高产量。
更新时间:2024-06-25
rie-300nr是一种理想的反应离子蚀刻系统，适用于加工ø300mm晶圆和多晶圆（ø3"×12，ø4"×8等），具有优异的均匀性。该系统的设计旨在大限度地减少工厂空间需求，提高产量，大限度地延长正常运行时间，并通过可靠的硬件和便捷的服务降低拥有成本。
更新时间:2024-06-25
rie-1c是用于半导体芯片故障分析的小型台式干式蚀刻系统。可以高效、低损伤地去除钝化膜。它操作简单，样品放置后只需按一下按钮就可以完成整个过程。可以放在桌面上，也可以选择用支架。
更新时间:2024-06-25
fep烧杯，也称聚全氟乙丙烯烧杯：非凡的化学耐受性，几乎可耐受所有的化学溶剂。适合于保存化学品和样本,或一般的高温高压灭菌用途。具有翻边设计，便与夹持和移动，有散发热量和增加机械强度的作用，边沿有嘴，便于倾倒液体。烧杯是一种常见的实验室玻璃器皿，通常由玻璃、塑料或者耐热玻璃制成。烧杯呈圆柱形，顶部的一侧开有一个槽口，便于倾倒液体。
更新时间:2023-11-15
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