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hcdjc系列电压击穿测试仪采用计算机控制，通过人机对话方式，完成对绝缘介质的工频电压击穿，工频耐压试验。电压击穿试验仪主要适用于固体绝缘材料如绝缘漆、树脂和胶、浸渍纤维制品、云母及其制品、塑料、薄膜复合制品、陶瓷和玻璃等介质在工频电压或直流电压下击穿强度和耐电压时间的测试；电压击穿试验仪采用计算机控制，可对试验过程中的各种数据进行快速、准确的采集、处理，并可存取、显示、打印。
更新时间:2024-12-08
hcjh-10kv高压化装置针对不同样品和不同电压，实现多样品同时化，同时生成化曲线，可快速判断佳化电场、温度和时 间，性能更好，操作更加方便。
更新时间:2024-12-08
电荷量表，一、产品概述，4位半huace-111a系列电荷量表结合了华测高灵敏度电压、电流测量仪器的技术优势以及更快的速度和更高的耐用性。定制不同规格法拉第筒。
更新时间:2024-12-08
电荷量表huace-111a一、产品概述4位半huace-111a系列电荷量表结合了华测高灵敏度电压、电流测量仪器的技术优势以及更快的速度和更高的耐用性。这款经济型的仪器具有手动电荷量
更新时间:2024-12-08
电荷量表huace-111a一、产品概述4位半huace-111a系列电荷量表结合了华测高灵敏度电压、电流测量仪器的技术优势以及更快的速度和更高的耐用性。这款经济型的仪器具有手动电荷量
更新时间:2024-12-08
电荷量表huace-111a一、产品概述4位半huace-111a系列电荷量表结合了华测高灵敏度电压、电流测量仪器的技术优势以及更快的速度和更高的耐用性。这款经济型的仪器具有手动电荷量
更新时间:2024-12-08
dct2000晶体管直流参数测试系统是由我公司完全自主开发设计的一代“晶体管直流参数测试系统”。软件及硬件均由团队自主完成。高压源标配2000v，高流源标配40a（选配100a,200a,300a,500a）栅极电压40v，产品可测试si,sic,gan材料的igbts,diodes,mosfets,bjts,scrs等7大类26分类的电子元器件。
更新时间:2024-11-25
是德科技高性能逻辑分析仪提供可靠、精确的测量，以及对系统特性全面的洞察力，帮助您尽可能降低项目风险。这个逻辑分析仪产品系列提供了丰富的测量功能，以及各种探测、应用支持和分析工具，可以满足用户苛刻的数字调试需求。
更新时间:2024-08-16
精密型电流－电压分析仪系列将功能强大的表征软件与综合 smu 完美结合，能够确保准确和高效的电流－电压测量，为您分析各种应用中的 iv 特征提供清晰的洞察力。
更新时间:2024-08-16
该系列设备是各种烘烤、老化实验中，常用设备之一，适用于电子仪器仪表、材料、电工、车辆、金属、电子产品、各种电子元气件在温度环境下、检验其各性能项指针.及质量管理之用.
更新时间:2024-08-15
用于先进封装的亚微米3dx射线，ca20旨在以高分辨率提供卓越的2d和3d图像，它允许对微米细节进行快的检测，并有助于缩短复杂3d ic的上市时间。
更新时间:2024-08-15
ftpadv是一种经济高效的台式光谱反射解决方案，具有快速厚度测量功能。测量时间不到 100 ms，精度低于 0.3 nm，膜厚范围为 50 nm – 25 μm。包括一系列预定义的配方，便于光谱反射仪操作
更新时间:2024-08-14
rm 1000 和 rm 2000 光谱反射仪可测量表面光滑或粗糙的平面或弯曲样品的反射率。使用sentech ftpadv expert软件计算单膜或层叠的厚度、消光系数和折射率。厚度分别为 2 nm 和 50 μm （rm 2000） 或 100 μm （rm 1000） 的单片、层叠和基板可以在 uv-vis-nir 光谱范围内进行分析。
更新时间:2024-08-14
ftpadv expert薄膜测量软件具有ftpadv标准软件中包含的用户友好和以配方为导向的操作概念。突出显示拟合参数、测量和计算的反射光谱以及主要结果的光学模型同时显示在操作屏幕上。
更新时间:2024-08-14
spectraray/4 是 sentech 有的光谱椭圆偏振仪软件，包括椭圆、反射和透射数据的数据采集、建模、拟合和扩展报告。它支持可变角度、多实验和组合光度测量。 包括一个基于 sentech 厚度测量和文献数据的庞大而全面的材料数据库。大量的色散模型允许对几乎任何类型的材料进行建模。
更新时间:2024-08-14
sentech sendira 为红外 （ftir） 而设计。这款紧凑的台式仪器包括吹扫椭偏仪光学元件、计算机控制的测角仪、水平样品平台、自动准直望远镜、商用 ftir 和 dtgs 或 mct 检测器。ftir 在 400 cm-1 至 6,000 cm-1 （1.7 μm – 25 μm） 的光谱范围内提供出色的精度和高分辨率。
更新时间:2024-08-14
sentech senpro 椭圆偏振光谱仪具有操作简单、测量速度快、不同入射角椭偏振测量的组合数据分析等特点。它的测量光谱范围为 370 nm 至 1,050 nm。该工具的光谱范围与先进的软件 spectraray/4 相结合，可以轻松确定单片薄膜和复杂层叠的厚度和折射率。
更新时间:2024-08-14
sentech senresearch 4.0 使用快速 ftir 椭圆偏振法分别测量高达 2,500 nm 或 3,500 nm 的近红外光谱。它提供宽的光谱范围、佳的信噪比和高的可选光谱分辨率。可以测量厚度达 200 μm 的硅膜。ftir椭圆偏振仪的测量速度与二管阵列配置相比，二管阵列配置也可选择高达1,700 nm。
更新时间:2024-08-14
sentech senduro®mems 提供配置灵活性，以满足生产控制和质量控制的要求。该工具可以配置反射法和椭圆偏振法中的μ点测量，以及提供准确测量位置的模式识别。所有测量都可以与边缘抓取技术相结合。
更新时间:2024-08-14
sentech se 500adv结合了椭圆偏振法和反射法，消除了测量透明薄膜层厚的模糊性。它将可测量的厚度扩展到 25 μm。因此，se 500adv 扩展了标准激光椭偏仪 se 400adv 的功能，特别适用于分析较厚的电介质、有机材料、光刻胶、硅和多晶硅薄膜。
更新时间:2024-08-14
comet yxlon开发了ctscan 3线探测器阵列（lda），以满足客户的特殊要求和具有挑战性的应用。凭借其所未有的信噪比、动态范围和 254 μm 的像素间距，它是对大型和/或密集组件进行清晰检测的无可替代的解决方案。它设计用于高达 600 kv 的工作电压，可减少不必要的散射辐射，并提供低噪声电子设备和高效闪烁体。
更新时间:2024-08-14
pva tepla 超声扫描显微镜sam premium系列结合了声学显微镜和光学显微镜。它使超声扫描平台与倒置光学显微镜或反射式光学显微镜相结合。sam premium系列所使用的技术是以融合了生产和研究技术的核心平台为基础。sam premium系列旗下各个系统均具有高产量、高灵活性和宽广的扫描范围等特性。此外，各系统还可以根据客户的要求进行扩展，并用于多样化的应用。
更新时间:2024-08-13
dsm8/200 gen2测量系统用于研发和大量产的对准测量suss dsm为广泛的应用和基板提供从正面到反面的测量。测量结果详细列出了了偏移矢量的各个分量：平移、旋转和跳动。该系统所需占地面积很小，因此拥有成本低。同时，它为双面的对准与曝光应用提供了可靠、其精确的测量，这些是mems器件、功率半导体和光电子制造中会经常用到的。
更新时间:2024-08-13
pva tepla sam系列的超声波扫描显微镜使用简单，操作方便，是一款用于过程控制和质量保证，以及研究应用的无损检测设备。sam系列旗下各型号均统一由一个符合行业标准的组件平台衍生而来，在此基础上，再融入了先进的生产和制造技术。
更新时间:2024-08-13
pva tepla sam 全自动系列的自动超声波扫描显微镜能够无损检测空洞、空隙、气泡、夹杂物和分层，是圆检测、焊接界面检查、mems检测、以及各类电子封装检测的理想选择。该系列配有自动缺陷检测软件包，可对各种缺陷类型进行全自动化评估，检测结果可以以klarf文件和vega map的形式发布，同时支持链接gem/secs。根据所需分析样品，可以选择不同扫描仪配置，如：4×1、4×2或4×4。
更新时间:2024-08-13
“elionix "系列第五代超显微压痕硬度计，在日本制造的纳米压痕测试仪具有友好的 gui，通过抑制测量环境中的干扰实现高数据再现性。
更新时间:2024-08-12
wd4000无图晶圆几何形貌量测系统通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，ttv，bow、warp、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。
更新时间:2024-07-30
wd4000半导体晶圆表面形貌参数测量仪通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，ttv，bow、warp、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。
更新时间:2024-07-30
wd4000半导体晶圆厚度warp检测设备自动测量 wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。使用光谱共焦对射技术测量晶圆 thickness、ttv、ltv、bow、warp、tir、sori 等参数，同时生成 mapping 图
更新时间:2024-07-30
wd4000晶圆厚度粗糙度微纳三维形貌测量仪器通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，ttv，bow、warp、在高效测量测同时防止晶圆产生划痕缺陷。
更新时间:2024-07-30
中图仪器wd4000晶圆翘曲度厚度粗糙度表面形貌检测设备通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建。它采用的高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立3d mapping图，能实现晶圆厚度、ttv、ltv、bow、warp、tir、sori、等反应表面形貌的参数。
更新时间:2024-07-30
wd4000国产半导体晶圆翘曲度粗糙度表面形貌测量系统兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。它采用白光光谱共焦多传感器和白光干涉显微测量双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立表面3d层析图像，实现wafer厚度、翘曲度、平面度、线粗糙度、总体厚度变化(ttv)及分析反映表面质量的2d、3d参数。
更新时间:2024-07-30
wd4000半导体晶圆粗糙度翘曲度检测设备集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、ttv、ltv、bow、warp、粗糙度、及三维形貌的测量。
更新时间:2024-07-30
中图仪器ns系列沉积薄膜台阶高度测量仪是一款超精密接触式微观轮廓测量仪器，其主要用于台阶高、膜层厚度、表面粗糙度等微观形貌参数的测量。其采用lvdc电容传感器，具有的亚埃分辨率和超微测力等特点使得其在薄膜厚度的测量上具有很强的优势。
更新时间:2024-07-30
中图仪器wd4000半导体晶圆几何量测设备可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，ttv，bow、warp、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。
更新时间:2024-07-30
wd4000半导体无图晶圆几何形貌检测机可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。自动测量wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。
更新时间:2024-07-30
wd4000半导体晶圆粗糙度表面形貌测量设备采用白光光谱共焦多传感器和白光干涉显微测量双向扫描技术，可实现wafer厚度、翘曲度、平面度、线粗糙度、总体厚度变化(ttv)及分析反映表面质量的2d、3d参数。
更新时间:2024-07-30
wd4000半导体晶圆制程检测设备几何量测系统通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，ttv，bow、warp、在高效测量测同时防止晶圆产生划痕缺陷。wd4000兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。
更新时间:2024-07-30
wd4000晶圆厚度翘曲度粗糙度检测设备广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3c电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、mems器件等超精密加工行业。测量各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。
更新时间:2024-07-30
wd4000晶圆厚度表面粗糙度微纳三维形貌量测系统通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，ttv，bow、warp、在高效测量测同时防止晶圆产生划痕缺陷。
更新时间:2024-07-30
wd4000无图晶圆膜厚检测设备采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立3d mapping图，实现晶圆厚度、ttv、ltv、bow、warp、tir、sori、等反应表面形貌的参数。
更新时间:2024-07-30
wd4000晶圆表面三维形貌测量设备提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。
更新时间:2024-07-30
wd4000晶圆几何形貌测量及参数自动检测机采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立3d mapping图，实现晶圆厚度、ttv、ltv、bow、warp、tir、sori、等反应表面形貌的参数。
更新时间:2024-07-30
wd4000晶圆表面形貌量测设备通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，ttv，bow、warp、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。
更新时间:2024-07-30
全自动晶圆缺陷检测设备 能检测pinhole等多重缺陷。1.晶圆正反表面缺陷2.晶圆内部缺陷3.晶圆边缘斜面缺陷4.晶圆边缘顶点缺陷5.晶圆v-notch缺陷6.晶圆形状缺陷
更新时间:2023-05-22
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