外延系统产品及厂家

分子束外延MBE
gen2000® mbe 系统提供卓越的吞吐量、更长的活动周期、更小的占地面积和集群工具晶圆处理。它是 hbt 和 phemt 等无线通信设备大批量生产以及需要以低拥有成本生产 6 英寸的新兴应用的理想选择。
更新时间:2024-08-14
分子束外延MBE
veeco 的 gen200® mbe 系统是当市场上具成本效益和高容量的多 4 英寸生产 mbe 系统。该系统在用于泵浦激光器、vcsel 和 hbt 等设备的生长中提供卓越的吞吐量、长时间的加工周期和出色的晶圆质量。
更新时间:2024-08-14
分子束外延MBE
gen10™ mbe 系统是成熟平台中经济、灵活的簇状工具系统,允许多达三个可配置的、特定于材料的生长模块。这使得系统利用率高,允许多个研究人员同时使用该系统,并在无人值守的情况下进行生长和校准。这与 veeco 组件技术相结合,是 mbe 社区选择 gen10™ mbe 系统的关键因素,无论应用是什么。
更新时间:2024-08-14
分子束外延MBE
屡获殊荣的新型 genxcel™ 系统是在 genxplor 的基础上进行的扩展,genxplor™ 是自 2013 年 8 月推出以来畅销的 mbe 系统,与 genxpl
更新时间:2024-08-14
MBE分子束外延系统
genxplor® r&d mbe系统获得了化合物半导体制造的csindustry奖,采用veeco成熟的3英寸生长室设计,并具有无与伦比的工艺灵活性,非常适合uv led、高效太阳能电池和高温超导体等新兴技术的材料研究。其高效的单框架设计将所有真空硬件与机载电子设备相结合,使其比其他 mbe 系统小 40%,从而节省宝贵的实验室空间。
更新时间:2024-08-14
分子束外延薄膜沉积系统
分子束外延薄膜沉积系统mbe 8000旨在满足对高性能化合物半导体器件日益增长的需求。这种在超高压环境中使用超纯金属的 8×6ʺ 或 4×8ʺ 固源 mbe 系统在设计、温度均匀性和通量均匀性方面超出了先进的基本预期。该系统能够培养 8 个 150 毫米(6 英寸)晶圆或 4 个 200 毫米(8 英寸)晶圆的批次,这些晶圆具有显着的均匀性(成分、厚度)和非常低的缺陷水平。
更新时间:2024-08-13
超高真空激光分子束外延薄膜沉积系统
产品概述:超高真空激光分子束外延薄膜沉积系统由真空腔室(外延室、进样室)、样品传递机构、样品架、立式旋转靶台、基片加热台、抽气系统、真空测量、工作气路、电控系统、计算机控制等各部分组成。设备用
更新时间:2024-08-13
SiC分子外延系统MBE
epiluvac 产品通常作为完整的系统交付,包括反应器模块、气体输送系统、过程控制、安全系统、安装和调试。每个系统在发货都经过广泛的测试,一旦安装,交付还包括所有必要的客户操作和维护培训。
更新时间:2024-08-13
Riber分子束外延系统
riber分子束外延系统的 multi 4“ / 6” mbe 6000 是全球每个成功的大批量商家或内部 epi 操作的核心。它是高通量和可重复性的mbe基准。活动时间通常超过一年,这证明了反应堆的稳定性和可靠性。没有比riber的新客户和长期客户重复下订单更有力的认可了。有许多晶圆厂配备了 2 – 8 个 mbe 6000,24 / 7 并排运行。初,系统主要用于制造大量微波器件材料。
更新时间:2024-08-12
MBE分子束外延
自新千年到来之推出以来,compact 21 已成为有史以来成功的商用 3 英寸 mbe 系统。凭借核心 compact 21 dna 在所有配置(iii-v、ii-vi、gp iv、氧化物、金属、gsmbe)中都很明显,该多功能系统在从基础研究到设备开发和优化的每个研究域都得到了卓越的服务。它多可容纳 12 个源端口,并且与电子枪兼容。这款整洁而强大的反应器可提供手动或全自动
更新时间:2024-08-09
Riber分子束外延系统
riber mbe 49 系列全自动生产机器为材料质量、产量、产量以及与操作和维护相关的成本设定了行业标准。超过55个这样的系统已经在全球范围内交付,他们为客户带来的成功使该系列反应器获得了广泛持有和当之无愧的声誉,因为它使新的化合物半导体器件技术的商业化能够在其他地方无与伦比的范围和规模上实现商业化。mbe 49 系列有四个反应器,门设计用于沉积砷化物、磷化物、氮化物和氧化物。
更新时间:2024-08-09
RIBER分子束外延4 英寸中试生产系统
riber 的 mbe 412 正受到越来越多与工业合作伙伴合作开展应用项目的关键研究机构的关注。这种兴趣的增加部分归因于 4 英寸(或 3 x 2 英寸)容量在这种类型的战略合作伙伴关系中受到青
更新时间:2024-08-09
多片碳化硅外延系统
mars ice120 多片碳化硅外延系统产能大,6 英寸运营成本低
更新时间:2024-06-21
12英寸单片常压硅外延系统
hesper e230a 12英寸单片常压硅外延系统优异的气流场和加热场设计提供优良的工艺性能
更新时间:2024-06-21
12英寸单片减压硅外延系统
hesper i e430r 12英寸单片减压硅外延系统优异的气流场和加热场设计提供优良的工艺性能
更新时间:2024-06-21
碳化硅外延系统
mars ice115 碳化硅外延系统薄膜和厚膜外延兼容,工艺稳定性高
更新时间:2024-06-21
8英寸多片硅外延系统
ses系列 8英寸多片硅外延系统适用于 5-150 微米范围的硅外延工艺
更新时间:2024-06-21
8英寸单片常压/减压硅外延系统
esther/eris 系列 8英寸单片常压/减压硅外延系统传输系统和工艺模块设计可兼容多种工艺用途友好的人机交互和安全性设计保障系统稳定、安全、高效具有单腔和多腔两种机型,可满足不同客户需求
更新时间:2024-06-21
12英寸减压选择性外延系统
hesper ⅱ e630r plus 12英寸减压选择性外延系统多区红外加热协同激光微区补偿,温场均匀可控
更新时间:2024-06-21

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