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化学气相沉积设备产品及厂家
Cyrannus 1-6" 2.45GHz德国iplas微波等离子化学气相沉积系统
德国iplas微波等离子化学气相沉积 cyrannus 1-6" 2.45ghz系统,德国 iplas公司的独 家 利多天线耦合微波等离子技术(cyrannus®),可在反应腔中实现高的 sp3 键转化率,使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团,从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积质量得到改善。
更新时间:
2025-04-17
iplas Mpcvd 915MHz德国iplas微波等离子化学气相沉积系统
德国iplas微波等离子化学气相沉积 iplas mpcvd 915mhz系统,德国 iplas公司的独家利多天线耦合微波等离子技术(cyrannus®),可在反应腔中实现高的 sp3 键转化率,使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团,从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积质量得到改善,这正是获取优质金刚石的技术基础。
更新时间:
2025-04-17
DSC 3500 Sirius德国Netzsch 差示扫描量热仪
德国netzsch 差示扫描量热仪dsc 3500 sirius,该技术操作简便,分析快速,在研发、制造和质量检验域中逐渐成为不可取代的检测技术。针对具体材料、产品的应用和性能评估及解析,对应有各种各样的标准(如astm,din,iso等)。
更新时间:
2025-04-17
MB7NW6原装进口KROM SCHRODER备件
上海祥树欧茂机电设备有限公司成立于1999年,经过多年的努力与良好的信誉度,公司与国际机电行业品牌twk、mts、hydac、masterk、weber、radio-energie、lenord bauer、elcis、ipf、hemomatik等千余家品牌厂商密切合作,形成了个稳定而高效的全球化国际供应链体系,竭尽全力为客户提供服务。
更新时间:
2025-04-09
S926.6621原装进口SYLVAC备件
上海祥树欧茂机电设备有限公司成立于1999年,经过多年的努力与良好的信誉度,公司与国际机电行业品牌twk、mts、hydac、masterk、weber、radio-energie、lenord bauer、elcis、ipf、hemomatik等千余家品牌厂商密切合作,形成了个稳定而高效的全球化国际供应链体系,竭尽全力为客户提供服务。
更新时间:
2025-04-09
Parylene实验室机型
实验室parylene真空气相沉积涂覆机,具有体积小、重量轻、实验操作简单、占地面积小、美观大方,简洁、实用于一体的机型。
更新时间:
2025-04-08
Parylene镀膜设备 、聚对二甲苯设备、真空镀膜设备、派瑞林镀膜机
该设备腔室容量加大,采用吊装放置所需镀膜的产品,配备了罗茨泵和真空泵,加快抽真空速率,适合生产型工厂大批量生产,减少镀膜成本
更新时间:
2025-04-08
CCQ-200PCCQ 304不锈钢气动超高真空插板阀
ccq气动超高真空插板阀是通过电磁换向阀改变气路方向,控制执行气缸驱动阀板作上下运动,达到阀门的开启或关闭。阀门用于接通或切断真空管路中的气流。适用介质为纯净空气和非腐蚀性气体。带反馈信号装置。 适用范围:105~1.3×10-7pa 阀门漏率:≤1.3×10-8pa.l/s.
更新时间:
2025-04-08
GUQ-25KFPGUQ-KF 304不锈钢气动三片式高真空卡箍球阀
guq型三片式气动真空球阀是以气动装置驱动阀杆与球芯来执行启闭动作,达到接通或切断真空(压力)系统管路中的介质流。应用于真空、乳制品、酒业、生物工程、食品、制药、饮料、化妆品及化工领域。适用范围:0.1×106~1.3×10-4pa 阀门漏率:≤1.3×10-4pa.l/s.
更新时间:
2025-04-08
GUQ-20PGUQ 304不锈钢气动三片式高真空法兰球阀
guq型三片式气动真空球阀是以气动装置驱动阀杆与球芯来执行启闭动作,达到接通或切断真空(压力)系统管路中的介质流。应用于真空、乳制品、酒业、生物工程、食品、制药、饮料、化妆品及化工领域。适用范围:0.6×106~1.3×10-4pa 阀门漏率:≤1.3×10-4pa.l/s.
更新时间:
2025-04-08
GUD-25KFPGUD-KF 304不锈钢电动三片式高真空卡箍球阀
gud型三片式电动高真空(压力)球阀是以电动装置驱动阀杆与球芯来执行启闭动作,达到接通或切断真空(压力)系统管路中的介质流。应用于真空、乳制品、酒业、生物工程、食品、制药、饮料、化妆品及化工领域。适用范围:0.1×106~1.3×10-4pa 阀门漏率:≤1.3×10-4pa.l/s.
更新时间:
2025-04-08
GUD-20PGUD 304不锈钢电动三片式高真空法兰球阀
gud型三片式电动高真空(压力)球阀是以电动装置驱动阀杆与球芯来执行启闭动作,达到接通或切断真空(压力)系统管路中的介质流。应用于真空、乳制品、酒业、生物工程、食品、制药、饮料、化妆品及化工领域。适用范围:0.6×106~1.3×10-4pa 阀门漏率:≤1.3×10-4pa.l/s.
更新时间:
2025-04-08
GU-25KFPGU-KF 304不锈钢手动三片式高真空卡箍球阀
gu型三片式高真空(压力)球阀用于接通或切断真空(压力)系统管路中的介质流。应用于真空、乳制品、酒业、生物工程、食品、制药、饮料、化妆品及化工领域。适用范围:0.1×106~1.3×10-4pa 阀门漏率:≤1.3×10-4pa.l/s.
更新时间:
2025-04-08
GU-20PGU 304不锈钢手动三片式高真空法兰球阀
gu型三片式高真空(压力)球阀用于接通或切断真空(压力)系统管路中的介质流。应用于真空、乳制品、酒业、生物工程、食品、制药、饮料、化妆品及化工领域。适用范围:0.6×106~1.3×10-4pa 阀门漏率:≤1.3×10-4pa.l/s.
更新时间:
2025-04-08
GID-25PGID 304电动高真空法兰蝶阀
gid电动高真空法兰蝶阀 是以电动装置驱动阀杆与阀板执行启闭动作。用于接通或切断真空管路中的气流。适用介质为纯净空气和非腐蚀性气体。 适用范围:105~1.3×10-4pa 阀门漏率:≤1.3×10-4pa.l/s.
更新时间:
2025-04-08
GIQ-40PGIQ 304不锈钢气动高真空法兰蝶阀
giq气动高真空蝶阀是通过电磁换向阀改变气路方向,控制执行气缸驱动蝶阀作启闭运动。用于接通或切断真空管路中的气流。适用介质为纯净空气和非腐蚀性气体。可选配反馈信号装置及电气阀门定位器。适用范围:105~1.3×10-4pa 阀门漏率:≤1.3×10-4pa.l/s.
更新时间:
2025-04-08
GI-25KFPGI-KF 304不锈钢卡箍连接手动高真空蝶阀
gi-kf 手动高真空卡箍蝶阀用于接通或切断真空管路中的气流。适用介质为纯净空气和非腐蚀性气体。 适用范围:105~6.7x10-5pa 阀门漏率:≤1.3x10-5 pa.l/s.
更新时间:
2025-04-08
GI-25PGI 304不锈钢法兰连接手动高真空蝶阀
手动高真空法兰蝶阀用于接通或切断真空管路中的气流。适用介质为纯净空气和非腐蚀性气体。 适用范围:105~1.3×10-4pa 阀门漏率:≤1.3×10-4pa.l/s.
更新时间:
2025-04-08
Shale® C 系列8英寸电感耦合等离子体化学气相沉积设备
shale® c系列电感耦合等离子体化学气相沉积设备(icp-cvd),通过电感耦合(icp)产生高密度等离子体,并通过电容耦合(ccp)产生偏压,可实现低温、高致密、低损伤、优填充能力的薄膜沉积工艺。该设备采用了8英寸产线设备所通用的国际标准零部件,符合semi的设计标准,并通过了严苛的稳定性和可靠性测试验证。
更新时间:
2025-03-05
Shale® A 系列8英寸等离子体增强化学气相沉积设备
shale® a系列等离子体增强化学气相沉积设备(pecvd),通过平行电容板电场放电产生等离子体,可以在400℃及以下沉积比较致密、均匀性较好的氧化硅、teos、bpsg、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。该设备采用了8英寸产线设备所通用的国际标准零部件,符合semi的设计标准,并通过了严苛的稳定性和可靠性测试验证。
更新时间:
2025-03-05
等离子体沉积ALD AD-230LP
ad-230lp是一种原子层沉积(ald)系统,能够在原子水平上控制薄膜厚度。有机金属原料和氧化剂交替供给反应室,仅通过表面反应进行薄膜沉积。该系统具有负载锁定室,且不向大气开放反应室,因此能够实现薄膜沉积的优良再现性。
更新时间:
2025-03-05
PD-200STL 等离子体增强型CVD系统
pd-200stl是一种用于研发的低温(80~400℃)、高速(>300nm/min)等离子体增强型cvd系统。samco的液态源cvd系统采用自偏置沉积技术和液态teos源,以低应力沉积sio2薄膜,从薄膜到厚的薄膜(高达100μm)。pd-200stl具有时尚、紧凑的设计,只需要小的洁净室空间。
更新时间:
2025-03-05
PD-100ST 等离子体增强CVD系统
pd-100st是一种用于研发的低温(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)等离子体增强cvd系统。samco的液态源cvd系统采用自偏置沉积技术和液态teos源,以低应力沉积sio2薄膜,从薄膜到厚的薄膜(高达100 µm)。pd-100st具有时尚、紧凑的设计,只需要小的洁净室空间。
更新时间:
2025-03-05
PD-3800L 化学气相沉积 (PECVD) 系统
pd-220nl 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (pecvd) 系统,能够沉积硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅)。该系统以非常紧凑的占地面积提供了pecvd的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜,并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面,用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的理想选择。
更新时间:
2025-03-05
PD-3800L 化学气相沉积(PECVD)系统
pd-3800l 化学气相沉积系统是一种能够沉积硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅)的锁载等离子体增强化学气相沉积(pecvd)系统。该系统由于采用了大型反应室,并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理,因此产量较高。在直径360mm的区域内可以沉积出具有优异的厚度均匀性和应力控制的薄膜,具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面用于参数控制和配方存储。
更新时间:
2025-03-05
PD-2201LC 化学气相沉积设备
pd-2201lc 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (pecvd) 设备,能够沉积硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅)。该系统在节省空间的提下提供了pecvd的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜,并具有优异的稳定性和可重复性。
更新时间:
2025-03-05
Automotive Lamp Reflector汽车车灯溅射镀膜系统
本装置是为了在汽车用head lamp部分提高al的附着性,用plasma,al sputter,cvd法实施sio2 top coating的设备,是缩短生产时间,工序和佳的matching设备.
更新时间:
2025-03-05
Batch Type部件镀膜设备
实现高大量生产率的高真空基础in-line sputter
更新时间:
2025-03-05
G10-碳化硅碳化硅沉积系统
g10-碳化硅150 mm 和 200 mm – 支持双晶圆尺寸 – 为您的未来投资提供保障市场上高的晶圆产量 / m2市场上晶圆出色的运行过程性能高度均匀、低缺陷的 sic 外延工艺,可实现大的芯片良率
更新时间:
2025-03-05
CCS系统化合物半导体沉积系统
化合物半导体沉积系统用于研发的封闭耦合淋浴喷头® ccs系统“用于研发和小规模生产的灵活mocvd系统”
更新时间:
2025-03-05
AIX G5+ C化合物半导体沉积系统
化合物半导体沉积系统“行星式反应器模块,用于在150/200毫米衬底(si/蓝宝石/sic)上应用氮化镓,可提高生产率和晶圆性能”
更新时间:
2025-03-05
AIX G5 WW C化合物半导体沉积系统
化合物半导体沉积系统aix g5 ww c“下一代碳化硅电力电子器件的佳性能,以应对全球大趋势”高吞吐量批量外延与单晶圆控制 - 两全其美。
更新时间:
2025-03-05
AIX 2800G4-TM化合物半导体沉积系统
化合物半导体沉积系统aix 2800g4-tm (ic2)“基于 gaas/inp 的光电子学和射频应用的 hvm 佳反应器”
更新时间:
2025-03-05
金属有机源气相沉积系统MOCVD
mocvd系统主要由真空室反应系统、气体(载气与气相有机源)输运控制系统、有机源蒸发输运控制系统、电源控制系统、尾气处理及安全保护报警系统组成。
更新时间:
2025-03-05
线列式PECVD高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积系统
产品概述:系统主要由真空反应室、上盖组件、热丝架、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。设备用途:pecvd就是化学气相沉积法,是一种化工技术,该技术主要
更新时间:
2025-03-05
Cluster PECVD高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积系统
系统主要由3个真空沉积室(分别沉积p、i、n结)、1个进样室、1个中央传输室、平板式电、基片加热台、工作气路、传送机械手、抽气系统、安装机台、射频电源、甚高频电源、尾气处理装置、真空测量及电控系统等部分组成。
更新时间:
2025-03-05
PECVD+热丝CVD400高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积及热丝CVD系统
系统主要由真空反应室、上盖组件、喷淋头装置、热丝架、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。本系统具有pecvd功能和热丝cvd功能。
更新时间:
2025-03-05
Lumina AS/P金属有机物化学气相沉积设备
适用于光电应用的 lumina as/p 金属有机物化学气相沉积 (mocvd) 系统
更新时间:
2025-03-05
Propel 300mm GaN金属化学气相沉积MOCVD
用于 5g、光子学和 cmos 的 propel 300mm gan mocvd 系统全自动单晶圆簇系统可在 300 毫米基板上生产 5g 射频、光子学和高 cmos 器件。
更新时间:
2025-03-05
TurboDisc EPIK 868金属有机化学气相沉积MOCVD
用于 led 生产的 turbodisc epik 868 mocvd 系统
更新时间:
2025-03-05
HORIC L200 系列卧式 LPCVD 气相沉积系统
horic l200 系列 卧式 lpcvd 系统半导体客户端机台装机量大
更新时间:
2025-03-05
EPEE系列等离子 化学气相沉积系统
epee系列 等离子化学气相沉积系统单片和多片式架构,满足量产和研发客户需求 advanced single-chip and multi-chip design, meet the needs of mass production and r&d
更新时间:
2025-03-05
PD-2201LC化学气相沉积 (PECVD) 设备
pd-2201lc 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (pecvd) 设备,能够沉积硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅)。该系统在节省空间的提下提供了pecvd的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜,并具有优异的稳定性和可重复性。用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择,具有优异的重复性。
更新时间:
2025-03-05
AL-1无针孔薄膜沉积设备
al-1通过交替向反应室提供有机金属原料和氧化剂,仅利用表面反应沉积薄膜,实现了高膜厚控制和良好的步骤覆盖率。薄膜的厚度可以控制在原子层的数量。此外,可以在高宽比的孔内壁上沉积覆盖性好、厚度均匀的薄膜。可同时沉积3片ø4英寸的晶片。
更新时间:
2025-03-05
PD-220NL化学气相沉积 (PECVD) 系统
pd-220nl 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (pecvd) 系统,能够沉积硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅)。该系统以非常紧凑的占地面积提供了pecvd的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜,并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面,用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的理想选择。
更新时间:
2025-03-05
PD-3800L化学气相沉积(PECVD)系统
pd-3800l是一种能够沉积硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅)的锁载等离子体增强化学气相沉积(pecvd)系统。该系统由于采用了大型反应室,并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理,因此产量较高。在直径360mm的区域内可以沉积出具有优异的厚度均匀性和应力控制的薄膜,具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面用于参数控制和配方存储。
更新时间:
2025-03-05
PD-220N化学气相沉积等离子体CVD系统
pd-220n是用于沉积各种硅薄膜(sio2、si3n4等)的等离子体cvd系统。 pd-220n在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时,占地面积比本公司的传统系统小40%。 从尖端研究到半大规模生产,它的应用范围很广。
更新时间:
2025-03-05
PD-200STL等离子体增强型CVD系统
pd-200stl是一种用于研发的低温(80~400℃)、高速(>300nm/min)等离子体增强型cvd系统。samco独特的液态源cvd系统采用自偏置沉积技术和液态teos源,以低应力沉积sio2薄膜,从薄膜到厚的薄膜(高达100μm)。pd-200stl具有时尚、紧凑的设计,只需要小的洁净室空间。
更新时间:
2025-03-05
PD-270STLC等离子体增强CVD系统
pd-270stlc是一种低温(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强cvd系统,可用于大规模生产。samco独特的液态源cvd系统采用自偏置沉积技术和液态teos源,以低应力沉积sio2薄膜,从薄膜到厚的薄膜(高达100 µm)。该系统通过采用大气盒装载和ø236毫米的托架实现了高产量,可安装三个ø4英寸的晶圆。
更新时间:
2025-03-05
PD-330STC等离子体增强CVD系统
pd-330stc是一种低温(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强cvd系统,可用于大规模生产。samco独特的液态源cvd系统采用自偏置沉积技术和液态teos源,以低应力沉积sio2薄膜,从薄膜到厚的薄膜(高达100 µm)。该系统通过采用大气盒装载和ø300毫米晶圆的优良工艺均匀性,实现了高产量。
更新时间:
2025-03-05
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