功率循环试验（PC）

IGBT模块

ΔTj=100℃ 电压电流1800A 12V

IEC 客户自定义

高温反偏试验（HTRB）

MOSFET、IGBODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件

温度150℃； 电压2000V

美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

高温门试验（HTGB）

MOSFET、SiC MOS等单管器件

温度150℃； 电压2000V

美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

高温工作寿命试验（HTOL）

MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件

温度150℃ 电压2000V

美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

低温工作寿命试验（LTOL）

MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件

温度80℃ 电压2000V

美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

高温储存试验（HTSL）

MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度150℃；

美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

低温储存试验（LTSL）

MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度80℃

美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

高温高湿试验（THB）

MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度180℃ 湿度范围：10%~98%

美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

高低温循环试验（TC）

MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度范围：-80℃~220℃

美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

间歇寿命试验（IOL）功率循环试验（PC）

MOSFEODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件

ΔTj≧100℃ 电压电流48V，10A

美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

稳态功率试验（SSOL）

MOSFEODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件

ΔTj≧100℃ 电压电流48V，10A

美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

高加速应力试验（HAST）

MOSFEODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度130℃/110℃ 湿度85%

美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

*无偏压的高加速应力试验（UHAST）

MOSFEODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度130℃ 湿度85%

美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

高温蒸煮试验（PCT）

MOSFEODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度121℃ 湿度100%

美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

预处理试验（Pre-con）

所有SMD类型器件

设备满足各个等的试验要求

美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

潮气敏感度等试验（MSL）

所有SMD类型器件

设备满足各个等的试验要求

美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

*可焊性试验（Solderability）

MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件

有铅、无铅均可进行

美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等